史志锋
- 作品数：24 被引量：15H指数：3
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>
- Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响被引量：1
- 2012年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.07×1020cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。
- 张仕凯张宝林史志锋王辉夏晓川伍斌蔡旭浦高榕董鑫杜国同
- 关键词：射频磁控溅射退火温度
- MOCVD法制备NixZn1-xO薄膜
- 作为一种被关注十多年的光电材料,ZnO(室温下禁带宽度3.36eV)具有光透过率高,热稳定性好,激子束缚能高(60meV),原料易得,价格低廉等特点,并且在发光器件、紫外探测器、太阳能电池等领域有重要的应用。ZnO基材料...
- 王瑾杜国同张仕凯殷伟王辉吴国光史志锋李万程董鑫张宝林
- 温度对MOGVD制备ZnO薄膜中缺陷的影响
- 本实验采用LP-MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜,考察了外延生长温度对ZnO薄膜光学质量的影响,着重研究了ZnO薄膜中缺陷的形成机制.三个样品都表现出主宰的紫外光发射,长波方向的深能级发光变化很不明显.考虑到不...
- 崔夕军庄仕伟张金香伍斌史志锋张源涛张宝林杜国同
- 氧源对氧化锌薄膜基本性质的影响
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,分别以高纯O2和NO作为氧源,在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。XRD测试结果显示,ZnO薄膜都为(0002)面单一取向;但相较于使用O2氧源,改用NO氧源后,ZnO薄膜的晶...
- 赵龙夏晓川史志锋王辉董鑫张宝林杜国同
- 关键词：氧化锌MOCVD方法
- 文献传递
- GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法
- 一种GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光管或激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。由下电极、衬底、ZnO微米棒、空穴注入层和上电极构成，ZnO微米棒沿着衬底的<011>方向放置，并和衬...
- 杜国同史志锋董鑫张源涛张宝林
- 文献传递
- MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能被引量：2
- 2012年
- 采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。
- 史志锋伍斌蔡旭浦张金香王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
- 关键词：电致发光
- MOCVD法制备NiO薄膜的结构和光学特性研究
- 采用双卤钨灯金属有机化学气相沉积法(PA-MOCVD)在Si衬底上制备了NiO薄膜。XPS测试结果显示(图2),薄膜中Ni与O的化学元素比接近1:1。扫描电子显微镜(SEM)(图1)和X射线衍射(XRD)测试结果显示,随...
- 王辉张仕凯殷伟王瑾史志锋赵洋董鑫张宝林杜国同
- 光辅助对MOCVD法生长ZnO∶Ga薄膜的n型掺杂影响
- 作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO是继GaN之后在光电研究领域的又一热门研究课题。ZnO除了在短波光电器件上具有巨大的应用前景外,因其具有较高的热、化学稳定性,良好的导电性能以及较高的光透性,在显示器、太阳能电池以...
- 张金香杜国同殷伟史志锋张仕凯王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林
- P-NIO/N-GAN发光二极管光电特性的研究
- 本文采用磁控溅射法在N-GAN衬底上成功制备了NIO薄膜，从而制备了P-NIO/N-GAN异质结发光二极管.测试并分析了NIO薄膜材料的结构、光学、电学特性.研究结果显示了NIO材料具有良好的结晶质量并呈现P型导电特性....
- 王辉武超张金香史志锋张宝林马艳董鑫杜国同
- 关键词：GANNIO磁控溅射
- 文献传递网络资源链接
- n-SiC/p-ZnO基异质结发光器件的制备
- 史志锋张仕凯殷伟王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
