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宋崇申

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信经济管理化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇微电子
  • 4篇叠层
  • 4篇叠层结构
  • 4篇掩模
  • 4篇金属
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 4篇层结构
  • 3篇导电
  • 3篇导电材料
  • 3篇制冷
  • 3篇通孔
  • 3篇热电制冷
  • 3篇互连
  • 3篇基板
  • 3篇键合
  • 3篇封装
  • 2篇电镀
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子元

机构

  • 17篇中国科学院微...

作者

  • 17篇宋崇申
  • 6篇于大全
  • 4篇曹立强
  • 3篇张静
  • 3篇张文奇
  • 2篇张霞
  • 2篇薛海韵
  • 1篇李宝霞
  • 1篇郭学平
  • 1篇杨立杰
  • 1篇万里兮

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种涂胶装置
本发明公开了一种涂胶装置，该装置包括载台、吸附于载台之上的晶圆，以及晶圆上方的胶体注入管路，胶体注入管路具有一喷头，该喷头正对晶圆表面，该装置还包括：一圆形托盘，设置于晶圆上方，在涂胶时该圆形托盘与晶圆一起夹住旋涂于晶圆...
薛海韵曹立强宋崇申张文奇
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转接板结构及其制造方法
本发明公开了一种转接板结构，包括衬底、贯穿所述衬底的电学互连通孔和热电制冷单元。其中热电制冷单元包括交替串联连接的至少一个N型热电元件和至少一个P型热电元件。N型热电元件和P型热电元件分别为N型热电材料和P型热电材料构成...
张静宋崇申曹立强
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一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法
本发明公开了一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法，包括：从半导体衬底背面减薄该半导体衬底，使预先在该半导体衬底中制备的穿透硅通孔从该半导体衬底背面露出；化学机械抛光所述半导体衬底背面，使所述穿透硅通孔背部表面低于所述半导体...
宋崇申于大全
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一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法
本发明公开了一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法，包括：从半导体衬底背面减薄该半导体衬底，使预先在该半导体衬底中制备的穿透硅通孔从该半导体衬底背面露出；化学机械抛光所述半导体衬底背面，使所述穿透硅通孔背部表面低于所述半导体...
宋崇申于大全
制造硅通孔的方法
本发明公开了一种制造硅通孔的方法。该方法包括：在芯片中至少一层互连层中预定义掩模孔；以第一掩模版为掩模，刻蚀互连层上方的芯片表面介质层，该第一掩模版包括：在水平面的投影上包覆掩模孔的预设图形；以预定义掩模孔的互连层为掩模...
宋崇申
电子元件封装体及其制造方法
本发明公开了一种电子元件封装体结构，包括位于封装体内部的耦合在一起的热电制冷单元和有源元件。所述热电制冷单元包括串联连接的至少一个N型制冷元件和至少一个P型制冷元件。相应地，还提供了两种该电子元件封装体结构的制作方法。通...
张静宋崇申张霞
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一种键合装置
本发明公开了一种键合装置，包括：压力罩和贴合于所述压力罩开口处的弹性压力膜。由于弹性压力膜可以跟随所接触物体的表面而形变，以使弹性压力膜上的压强相同，因此弹性压力膜可以均匀的对第一待键合物施加压力。当第一待键合物由多个不...
万里兮郭学平宋崇申
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一种形成微电子芯片间互连的方法
本发明公开了一种形成微电子芯片间互连的方法，包括：第一次化学机械抛光，使所述主金属结构表面低于介质层结构表面；在所述微电子芯片表面沉积辅助金属层，在所述主金属结构位置该辅助金属层与所述主金属结构形成金属叠层结构；第二次化...
于大全宋崇申
同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法
本发明公开了一种同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法，包括：在半导体衬底表面制作介质层；对所述介质层进行图形化刻蚀；对所述图形化刻蚀掉所述介质层而没有所述介质层覆盖区域的半导体衬底进行图形化刻蚀，以在所述半导体衬底上...
宋崇申
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制造硅通孔的方法
本发明公开了一种制造硅通孔的方法。该方法包括：在芯片中至少一层互连层中预定义掩模孔；以第一掩模版为掩模，刻蚀互连层上方的芯片表面介质层，该第一掩模版包括：在水平面的投影上包覆掩模孔的预设图形；以预定义掩模孔的互连层为掩模...
宋崇申
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