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基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响: 2012年; 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGeHBT,具有更好的热特性。对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围。; 赵昕张万荣金冬月谢红云付强张东晖; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管热学特性 GE组分分布

基于SiGe工艺的采用双有源偏置技术的高线性低噪声放大器研究: 近年来，随着无线用户增多以及数据传输量的增大，现代通信系统需要采用频谱利用率更高的传输技术，才能够在有限的频谱范围内为更多的用户提供更高质量的服务。这就不可避免的要求具有高线性度的射频前端电路的支持。低噪声放大器(Low...; 张东晖; 关键词：SIGEHBT 高线性宽带低噪声放大器; 文献传递

用于SiGe HBT LNA的新型双有源偏置电路的设计: 2012年; 偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大器偏置工作点的目的。基于JAZZ 0.35μm SiGe工艺,采用该新型双有源偏置技术,设计了一款LNA。在1.8～2.2GHz频带时,放大器的增益为22.03±0.46dB,噪声系数小于3.7dB,2.0GHz时的输入3阶交调点(IIP3)为5dBm,相对于传统无源偏置的LNA提高了10dBm。仿真验证了该新型有源偏置技术对提高LNA线性度的有效性。; 张东晖张万荣谢红云丁春宝赵昕刘波宇; 关键词：噪声系数

UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术被引量：1: 2011年; 从异质结晶体管(HBT)的小信号模型着手,得到了几种不同反馈形式下HBT的S参数解析表达式。通过对比不同反馈形式的仿真结果,分析了各种反馈形式对S参数的影响,并着重研究了反馈技术对电路稳定性以及对超宽带低噪声放大器(UWB LNA)增益平坦度的影响。结果表明,采用串联电阻和电感或并联电阻和电容的电抗性负反馈,可以使S21的幅度随着频率的增大而逐渐上升,从而补偿了晶体管本身高频增益的下降,同时,也提高了整个电路的稳定性。采用这种反馈结构,设计了一款3～10 GHz超宽带低噪声放大器。仿真结果表明,该放大器在整个频带范围内无条件稳定,传输增益较高,增益平坦度较好,噪声系数较低,是一款无条件稳定并有着较好增益平坦度的超宽带低噪声放大器。; 张东晖张万荣金冬月谢红云丁春宝赵昕; 关键词：增益平坦化稳定性低噪声放大器

改善多指HBT热稳定性的非均匀指间距技术: 2011年; 建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响。在此基础上,提出了发射极指间距的非均匀化优化技术。在不同偏置下,对具有均匀间距和非均匀间距的多指HBT各指之间的温度分布进行模拟。结果表明,具有非均匀指间距结构的SiGe HBT峰值温度明显下降,各指之间的温度分布均匀性得到加强,这是传统均匀指间距技术无法比拟的,显示了非均匀指间距优化技术的优越性。; 赵昕张万荣金冬月谢红云付强张东晖刘波宇周永强; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管热稳定性

适于超宽带放大器的增益平坦化反馈技术: 2011年; 为研究反馈技术对宽带放大器增益平坦度的影响,从异质结晶体管(HBTs)的小信号模型入手,得到几种不同反馈形式下HBTs的S参数解析表达式.分析不同反馈形式对S参数的影响及传输增益S21的幅度变化.在这几种反馈技术中,纯电阻负反馈可以改进整个超宽频带内的反射,实现宽带的输入输出匹配;引入串联电感或并联电容等电抗元件,采用串联电阻和电感或并联电阻和电容的电抗性反馈可使S21的幅度随着频率的增大而逐渐上升,从而补偿晶体管本身高频增益的下降,同时也抵消电阻负反馈引起的增益下降.综合优化电阻反馈和电抗反馈,能实现低噪声放大器在3.1～10.6 GHz范围内的增益平坦性.; 谢红云路志义霍文娟丁春宝刘波宇张东晖张万荣; 关键词：低噪声放大器超宽带增益平坦化

基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计被引量：4: 2012年; 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。; 丁春宝张万荣金冬月谢红云陈亮沈佩张东晖刘波宇周永强郭振杰

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张东晖