赵昕
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术被引量：1
- 2011年
- 从异质结晶体管(HBT)的小信号模型着手,得到了几种不同反馈形式下HBT的S参数解析表达式。通过对比不同反馈形式的仿真结果,分析了各种反馈形式对S参数的影响,并着重研究了反馈技术对电路稳定性以及对超宽带低噪声放大器(UWB LNA)增益平坦度的影响。结果表明,采用串联电阻和电感或并联电阻和电容的电抗性负反馈,可以使S21的幅度随着频率的增大而逐渐上升,从而补偿了晶体管本身高频增益的下降,同时,也提高了整个电路的稳定性。采用这种反馈结构,设计了一款3～10 GHz超宽带低噪声放大器。仿真结果表明,该放大器在整个频带范围内无条件稳定,传输增益较高,增益平坦度较好,噪声系数较低,是一款无条件稳定并有着较好增益平坦度的超宽带低噪声放大器。
- 张东晖张万荣金冬月谢红云丁春宝赵昕
- 关键词：增益平坦化稳定性低噪声放大器
- 改善多指HBT热稳定性的非均匀指间距技术
- 2011年
- 建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响。在此基础上,提出了发射极指间距的非均匀化优化技术。在不同偏置下,对具有均匀间距和非均匀间距的多指HBT各指之间的温度分布进行模拟。结果表明,具有非均匀指间距结构的SiGe HBT峰值温度明显下降,各指之间的温度分布均匀性得到加强,这是传统均匀指间距技术无法比拟的,显示了非均匀指间距优化技术的优越性。
- 赵昕张万荣金冬月谢红云付强张东晖刘波宇周永强
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管热稳定性
- 基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
- 2010年
- 针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况。结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGeHBT的指上的温度分布更加均匀、不同指上的温差和集电结结温明显降低,自热效应得到有效抑制,器件的热稳定性得到增强。
- 王任卿张万荣金冬月陈亮丁春宝肖盈孙博韬赵昕
- 关键词：SIGEHBT热模拟自热效应
- 用于SiGe HBT LNA的新型双有源偏置电路的设计
- 2012年
- 偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大器偏置工作点的目的。基于JAZZ 0.35μm SiGe工艺,采用该新型双有源偏置技术,设计了一款LNA。在1.8～2.2GHz频带时,放大器的增益为22.03±0.46dB,噪声系数小于3.7dB,2.0GHz时的输入3阶交调点(IIP3)为5dBm,相对于传统无源偏置的LNA提高了10dBm。仿真验证了该新型有源偏置技术对提高LNA线性度的有效性。
- 张东晖张万荣谢红云丁春宝赵昕刘波宇
- 关键词：噪声系数
- 基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响被引量：4
- 2012年
- 基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HBT模型,对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性和电学特性的热稳定性进行了研究.研究发现,在Ge组分总量一定的条件下,随着Ge组分梯度的增大,器件的特征频率明显提高,增益β和特征频率fΤ随温度变化变弱,器件温度分布的均匀性变好,但增益变小;而基区均匀Ge组分(Ge组分梯度为零)的HBT的增益较大,但随温度的变化较大,器件温度分布的均匀性也较差.在此基础上,将基区Ge组分均匀分布和Ge组分缓变分布相结合,提出了兼顾器件热学特性、增益特性和频率特性的新型基区Ge组分分布-分段分布结构.结果表明,相比于基区Ge组分均匀分布的器件,新器件温度明显降低;β和fΤ保持了较高的值,且随温度的变化也较小,显示了新结构器件的优越性.这些结果对HBT的热学设计具有重要的参考意义,是对SiGe HBT性能研究的一个补充.
- 赵昕张万荣金冬月付强陈亮谢红云张瑜洁
- 关键词：热学特性GE组分分布
- 基区重掺杂对SiGe HBT热学性能的影响
- 2011年
- 相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,降低噪声系数,但基区掺杂浓度对器件热特性影响的研究却很少。以多指SiGeHBT的热电反馈模型为基础,利用自洽迭代法分析了基区重掺杂对器件集电极电流密度和发射极指温度的影响。通过研究发现,随着基区浓度的增加,SiGe HBT将发生禁带宽度变窄,基区反向注入发射区的空穴电流增大;同时,基区少子俄歇复合增强,这些都将减小集电极电流密度,降低发射极指温度,从而抑制发射极指热电正反馈,提高器件的热稳定性。
- 付强张万荣金冬月谢红云赵昕王任卿
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管热学性能
- 基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响
- 2012年
- 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGeHBT,具有更好的热特性。对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围。
- 赵昕张万荣金冬月谢红云付强张东晖
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管热学特性GE组分分布
- 基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性
- 2012年
- 基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平缓,各发射极指的峰值温度明显小于矩形分布的各指峰值温度,器件纵向和表面温度分布也更加均匀,因此,与矩形分布相比,梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT在热学特性上有了很大的改善,电学特性也相对热稳定。在这三种结构中,梯形分布可以更好地兼顾增益特性和热学特性。
- 张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强赵昕
- 关键词：HBTGE组分分布温度分布热学特性增益特性
- 增强多指SiGe HBT热学性能的Ge组分分布设计和变指间距技术研究
- 功率异质结双极型晶体管（HBT）在微波功率领域具有举足轻重的地位。为了提高HBT的功率，通常采用多发射极指并联结构。每个发射极指的自加热效应及各个发射极指之间的热耦合效应，导致各发射极指之间的温度分布不均匀。而发射极指的...
- 赵昕
- 关键词：GE组分分布
- 文献传递
