您的位置： 专家智库 > >

徐海铭

作品数：54 被引量：6H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇专利
  • 8篇期刊文章

领域

  • 34篇电子电信

主题

  • 18篇功率器件
  • 16篇单粒子
  • 13篇半导体
  • 12篇半导体功率器...
  • 11篇多晶
  • 10篇电路
  • 10篇淀积
  • 10篇抗辐射
  • 10篇集成电路
  • 9篇总剂量
  • 8篇电路技术
  • 8篇集成电路技术
  • 8篇反熔丝
  • 5篇电阻
  • 5篇接触孔
  • 5篇VDMOS
  • 4篇单粒子烧毁
  • 4篇导通
  • 4篇导通电阻
  • 4篇漏电

机构

  • 54篇中国电子科技...

作者

  • 54篇徐海铭
  • 34篇徐政
  • 34篇洪根深
  • 22篇吴素贞
  • 14篇谢儒彬
  • 14篇郑若成
  • 12篇赵文彬
  • 9篇王印权
  • 6篇汤赛楠
  • 6篇刘国柱
  • 5篇曾庆平
  • 5篇贺琪
  • 4篇李燕妃
  • 2篇郑良晨
  • 2篇赵文斌
  • 2篇陈海波
  • 1篇顾吉
  • 1篇陈嘉鹏
  • 1篇王栩
  • 1篇黄蕴

传媒

  • 5篇电子与封装
  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2025
  • 3篇2024
  • 13篇2023
  • 9篇2022
  • 2篇2021
  • 8篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 54 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法
本发明公开一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法，属于VDMOS制备技术领域。首先提供衬底，在其表面形成外延层；制作P阱；制作源端和体接触端；进行高温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第一次生长；进行低温栅氧干氧...
徐海铭徐政贺琪洪根深吴建伟赵文斌廖远宝
文献传递
一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法
本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法，该制备方法是在反熔丝通孔与金属间介质层接触的台阶处增加了反熔丝Spacer，降低了台阶角度，减小了反熔丝介质层厚度的不一致性，提高反熔丝击穿电压的一致性和电路良率，同时...
王印权郑若成徐海铭洪根深赵文彬吴素贞
文献传递
基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法
本发明公开一种基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。首先提供硅晶圆材料，通过P<Sup>+</Sup>注入形成P<Sup>+</Sup>低阻；接着在P<Sup>+</Sup>低阻表...
徐政吴素贞洪根深谢儒彬张庆东徐海铭廖远宝唐新宇
一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法
本发明公开一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法，属于半导体功率器件领域。在外延材料上生长栅氧化层，淀积多晶硅栅；光刻后对多晶硅栅和栅氧化层进行刻蚀，做出合适的图形；进行离子注入并退火形成阱、源极区；在表面依次生长氧化...
唐新宇洪根深谢儒彬张庆东徐海铭廖远宝
一种低压高密度trench DMOS器件制造方法
本发明公开一种低压高密度trench DMOS器件制造方法，属于半导体功率器件技术领域。trench阵列完成后，不做氧化层的去除，直接做牺牲氧化修复trench阵列内表面损伤。trench阵列中多晶硅表面比硅表面高200...
廖远宝洪根深吴建伟吴锦波徐政徐海铭
文献传递
一种VDMOS功率器件的制备方法
本发明提供了一种VDMOS功率器件的制备方法，属于集成电路技术领域。在器件的沟道区域之间形成光罩的图形；按照光罩的图形注入P型杂质，并进行高温退火处理；所述P型杂质的注入剂量为1E15‑1E16cm<Sup>‑2</Su...
徐海铭洪根深赵文斌吴建伟徐政刘国柱
文献传递
MTM反熔丝单元编程特性研究被引量：3
2015年
主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。
王印权刘国柱徐海铭郑若成洪根深
一种用于芯片总剂量辐照试验的探针台
本发明公开了一种用于芯片总剂量辐照试验的探针台，实现了将探针台应用与芯片辐照测试领域，所述用于芯片总剂量辐照试验的探针台包括显微镜和探针台体，所述探针台体与显微镜分体设置，所述探针台体位于显微镜下方，所述探针台体包括防振...
顾吉吴建伟陈海波陈嘉鹏郑良晨徐海铭
文献传递
一种提升屏蔽栅VDMOS抗总剂量制备方法
本发明公开一种提升屏蔽栅VDMOS抗总剂量制备方法，属于功率半导体器件领域。在衬底的外延层上制作Trench槽；生长场氧SiO<Sub>2</Sub>介质，完成后淀积源多晶；进行源多晶的光刻和腐蚀和P阱的注入，形成耐压环...
徐海铭洪根深谢儒彬张庆东廖远宝吴素贞唐新宇
一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法
本发明提供了一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，属于集成电路技术领域。所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法包括：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活...
徐海铭洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃吴素贞
文献传递
全选 清除 导出
共6页<123456>
聚类工具0