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吴素贞

作品数：29 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 9篇单粒子
  • 7篇反熔丝
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 5篇淀积
  • 4篇电路技术
  • 4篇多晶
  • 4篇通孔
  • 4篇总剂量
  • 4篇开关器件
  • 4篇抗辐射
  • 4篇集成电路技术
  • 4篇功率开关
  • 4篇功率开关器件
  • 4篇功率器件
  • 3篇单粒子烧毁
  • 3篇退火
  • 3篇总剂量辐照
  • 3篇晶圆
  • 3篇硅晶

机构

  • 29篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学

作者

  • 29篇吴素贞
  • 21篇徐海铭
  • 21篇洪根深
  • 19篇徐政
  • 11篇赵文彬
  • 8篇郑若成
  • 7篇谢儒彬
  • 5篇刘国柱
  • 5篇王印权
  • 5篇李燕妃
  • 4篇贺琪
  • 3篇封晴
  • 3篇孙杰杰
  • 3篇马金龙
  • 2篇徐睿
  • 2篇王栋
  • 2篇于跃
  • 1篇于宗光
  • 1篇李冰
  • 1篇赵桂林

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇电子与封装

年份

  • 6篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MTM反熔丝FPGA的编程方法
本发明公开一种MTM反熔丝FPGA的编程方法，属于可编程反熔丝技术领域。对于每一个反熔丝的编程，先施加正向编程脉冲，然后再施加反向编程脉冲；其中，对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前，对布线轨线进行预充电；对选定编程...
马金龙赵桂林吴素贞隽扬封晴杨霄垒孙杰杰曹靓
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一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法
本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组...
马金龙孙杰杰封晴吴素贞于跃王栋徐睿
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一种MOSFET功率器件的制备方法
本发明提供了一种MOSFET功率器件的制备方法，属于集成电路技术领域。对器件敏感区域注入光刻，形成RH光罩的图形；按照RH光罩的图形注入非活性杂质离子。使得MOSFET功率器件的敏感区增加了外延硅层的缺陷数量，降低其在单...
徐海铭吴素贞洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃
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一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法
本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结...
吴素贞徐政徐海铭洪根深贺琪赵文彬吴建伟谢儒彬
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抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法
本发明公开一种抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。提供外延基片，在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层；继续外延生长非掺杂G...
吴素贞徐政徐海铭洪根深赵文彬吴建伟谢儒彬
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一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件场区结构的制备方法
本发明公开一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件场区结构的制备方法，属于功率开关器件领域。提供硅晶圆材料，在硅晶圆材料中进行P<Sup>+</Sup>注入形成P<Sup>+</Sup>低阻层；进行N<Sup>+</Sup>注入...
徐政吴素贞洪根深
通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺
本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺，其包括衬底以及位于所述衬底上的器件层；在所述器件层上压盖有熔丝封体，在所述熔丝封体内设有熔丝下电极，在所述熔丝封体外设有熔丝上电极，所述熔丝上电极位于熔丝下电极的正上方；...
王印权郑若成洪根深赵文彬徐海铭吴素贞
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一种通孔下MTM反熔丝的制备方法
本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡...
郑若成王印权吴素贞刘佰清郑良晨洪根深
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基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法
本发明公开一种基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。首先提供硅晶圆材料，通过P<Sup>+</Sup>注入形成P<Sup>+</Sup>低阻；接着在P<Sup>+</Sup>低阻表...
徐政吴素贞洪根深谢儒彬张庆东徐海铭廖远宝唐新宇
一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法
本发明提供了一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，属于集成电路技术领域。所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法包括：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活...
徐海铭洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃吴素贞
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共3页<123>
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