公共文化服务平台

Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性: 2018年; 基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管（T_1）和信号传输管（T_2）组成,采用带带遂穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）遂穿擦除方式实现了其＂开/关＂态功能,并对其＂开/关＂态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性。实验结果表明,该单元具有较优的＂开/关＂态特性和电参数一致性,T_1/T_2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2 V和2.4%;在工作电压为-1.5 V条件下,T_2管＂关＂态的漏电流均在1 p A/μm以下,T_2管＂开＂态的驱动电流均值为116.22μA/μm,均一性为5.61%;该单元循环擦/写次数可达10 000次。同时,在25℃的＂开/关＂态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年。; 刘国柱洪根深洪根深于宗光赵文彬赵文彬李冰; 关键词：耐久性保持性

Push-Pull型pFLASH开关单元结构设计及特性: 2018年; 基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管（T1/T2）和1个信号传输PMOS管（T3）组成,采用带带隧穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）擦除方式实现其＂开/关＂态功能。同时,对其＂开/关＂态特性进行表征,研究其耐久性和电荷保持特性,最后,对其抗总剂量（TID）能力进行评估。实验结果表明：该器件的＂T1编程-T2擦除＂与＂T1擦除-T2编程＂态均可以实现信号传输管的＂开/关＂态功能,其阈值窗口的均值约为10.5 V;在工作电压为-1.2 V条件下,T3管的＂开＂态驱动电流均值约为0.92 mA,＂关＂态漏电流低于40 pA,且均表现出了良好的一致性。同时,该器件的循环擦/写次数可达10 000次,在25℃的＂开/关＂态应力条件下寿命大于10年,抗总剂量能力可达150 krad（Si）以上。; 刘国柱洪根深洪根深于宗光赵文彬吴素贞吴素贞李燕妃

一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法: 本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法，该制备方法是在反熔丝通孔与金属间介质层接触的台阶处增加了反熔丝Spacer，降低了台阶角度，减小了反熔丝介质层厚度的不一致性，提高反熔丝击穿电压的一致性和电路良率，同时...; 王印权郑若成徐海铭洪根深赵文彬吴素贞; 文献传递

通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺: 本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺，其包括衬底以及位于所述衬底上的器件层；在所述器件层上压盖有熔丝封体，在所述熔丝封体内设有熔丝下电极，在所述熔丝封体外设有熔丝上电极，所述熔丝上电极位于熔丝下电极的正上方；...; 王印权郑若成洪根深赵文彬徐海铭吴素贞; 文献传递

超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测被引量：6: 2009年; 随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的天线比.设计结构简单、完全工艺兼容,测试结果直观、测量灵敏度高等优点,实现了等离子体损伤芯片级工艺监控.测试分析表明,不同的膜层结构,等离子体损伤程度不同,当天线比大于103以后,充电损伤变得明显.同时测试也发现了工艺损伤较为严重的环节,为优化制造工艺,提高超薄栅氧化层抗等离子体损伤能力提供了科学的依据.; 赵文彬李蕾蕾于宗光; 关键词：栅氧化层等离子体损伤天线结构

基于0.5μm CMOS工艺的高压器件(英文): 2008年; 近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V0.5μmn-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23 -25V,p管击穿BVdssp〉19V.; 赵文彬李蕾蕾于宗光; 关键词：CMOS工艺

一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法: 本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结...; 吴素贞徐政徐海铭洪根深贺琪赵文彬吴建伟谢儒彬; 文献传递

抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法: 本发明公开一种抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。提供外延基片，在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层；继续外延生长非掺杂G...; 吴素贞徐政徐海铭洪根深赵文彬吴建伟谢儒彬; 文献传递

1KΩ高精度电阻网络电路及其修调方法: 本发明公开了一种1KΩ高精度电阻网络电路及其修调方法，修调方法包括以下步骤：S1、通过标准工艺制备高精度电阻网络电路，测量引脚PADA和引脚PADB之间的电阻值，得出测量电阻值；S2、若测量电阻值大于目标1KΩ，则烧通第...; 顾祥赵文彬洪根深吴建伟; 文献传递

基于0.5μm CMOS工艺的高压器件研究: 近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点，相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛。本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的...; 赵文彬孙锋于宗光; 关键词：集成电路高压器件芯片设计 CMOS工艺; 文献传递

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

赵文彬