徐政
- 作品数:49 被引量:7H指数:1
- 供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法
- 本发明公开一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法,属于半导体功率器件技术领域。在N型外延片生长氧化层、淀积氮化硅层和TEOS层,挖出若干个Trench结构;在Trench结构中制作一层氧化层,并填充...
- 廖远宝洪根深吴建伟徐政吴锦波徐海铭
- 文献传递
- 一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法
- 本发明公开一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法,属于半导体功率器件领域。在抗辐射trench型MOSFET结构中,制造出元胞区域深孔接触,把P型杂质注入深孔底部,在发生单粒子事件中更好的收集空穴,增强...
- 廖远宝徐海铭唐新宇徐政
- VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
- 2024年
- 通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。
- 徐大为徐政吴素贞陈睿凌赵小寒彭宏伟
- 关键词:功率VDMOS器件单粒子效应
- 一种MOSFET功率器件的制备方法
- 本发明提供了一种MOSFET功率器件的制备方法,属于集成电路技术领域。对器件敏感区域注入光刻,形成RH光罩的图形;按照RH光罩的图形注入非活性杂质离子。使得MOSFET功率器件的敏感区增加了外延硅层的缺陷数量,降低其在单...
- 徐海铭吴素贞洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃
- 文献传递
- 一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法
- 本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法,属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层,并结...
- 吴素贞徐政徐海铭洪根深贺琪赵文彬吴建伟谢儒彬
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- CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究被引量:1
- 2016年
- WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验。随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效。设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能。
- 陈培仓徐政李俊
- 关键词:CMOSWAT等离子体半导体工艺
- 抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法
- 本发明公开一种抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法,属于功率开关器件技术领域。提供外延基片,在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层;在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层;继续外延生长非掺杂G...
- 吴素贞徐政徐海铭洪根深赵文彬吴建伟谢儒彬
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- 一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法
- 本发明公开一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法,属于VDMOS制备技术领域。首先提供衬底,在其表面形成外延层;制作P阱;制作源端和体接触端;进行高温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第一次生长;进行低温栅氧干氧...
- 徐海铭徐政贺琪洪根深吴建伟赵文斌廖远宝
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- 一种低压高密度trench DMOS器件制造方法
- 本发明公开一种低压高密度trench DMOS器件制造方法,属于半导体功率器件技术领域。trench阵列完成后,不做氧化层的去除,直接做牺牲氧化修复trench阵列内表面损伤。trench阵列中多晶硅表面比硅表面高200...
- 廖远宝洪根深吴建伟吴锦波徐政徐海铭
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- 一种VDMOS功率器件的制备方法
- 本发明提供了一种VDMOS功率器件的制备方法,属于集成电路技术领域。在器件的沟道区域之间形成光罩的图形;按照光罩的图形注入P型杂质,并进行高温退火处理;所述P型杂质的注入剂量为1E15‑1E16cm<Sup>‑2</Su...
- 徐海铭洪根深赵文斌吴建伟徐政刘国柱
- 文献传递