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申晔

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇氢化
  • 2篇离子
  • 2篇离子束
  • 2篇晶格
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度
  • 2篇改性
  • 2篇材料改性
  • 1篇导体
  • 1篇电场
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇铁磁性能
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇稀磁半导体材...
  • 1篇离子注入
  • 1篇离子注入技术
  • 1篇内建电场
  • 1篇金属
  • 1篇金属材料

机构

  • 4篇华东师范大学
  • 1篇东华大学

作者

  • 4篇申晔
  • 3篇俞建国
  • 3篇王基庆
  • 3篇茅惠兵
  • 2篇赵强
  • 1篇邢怀中
  • 1篇吕斌

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制被引量：1
2007年
采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlxGa1-xN量子阱居里温度(TC)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况,并在此基础上确定量子阱内Mnδ掺杂情况下TC随内建电场的变化趋势,分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对TC的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到TC近3倍的增长.
申晔邢怀中俞建国吕斌茅惠兵王基庆
关键词：GAN内建电场居里温度
能提高材料结晶品质的组合离子注入技术
一种能提高材料结晶品质的组合离子注入技术，属于离子束材料改性的技术领域。使用组合材料技术先在一块拟改性材料的衬底上制备大量的具有各不相同的二次离子注入参数的样品单元，并对该块衬底上的样品单元进行高效、并行的测试，筛选出结...
申晔王基庆茅惠兵赵强俞建国
文献传递
能提高材料结晶品质的组合离子注入方法
一种能提高材料结晶品质的组合离子注入技术，属于离子束材料改性的技术领域。使用组合材料技术先在一块拟改性材料的衬底上制备大量的具有各不相同的二次离子注入参数的样品单元，并对该块衬底上的样品单元进行高效、并行的测试，筛选出结...
申晔王基庆茅惠兵赵强俞建国
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基于Ⅲ-Ⅴ稀磁半导体铁磁性能的数值计算
本论文主要研究了Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体材料(DMS)的磁性特征，基于一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解，我们着重分析了材料的自旋极化强度、相变温度等物理量随材料结构参数以及Mnδ掺杂条件的变化关系，深入探讨了低维体系中量子限...
申晔
关键词：稀磁半导体材料铁磁性能居里温度
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