董立闽
- 作品数：38 被引量：54H指数：5
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究被引量：7
- 2006年
- 研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大而增大。还研究了刻蚀速率和选择比与气体比例变化的关系。刻蚀SEM图表明,压强和RF功率增大会使刻蚀垂直度增大。
- 宋颖娉郭霞艾伟伟董立闽沈光地
- 关键词：感应耦合等离子体刻蚀刻蚀速率选择比
- Al<,x>Ga<,1-x>As选择性湿法氧化技术的研究
- 详细研究了温度和Al组分与Al<,x>Ga<,1-x>As横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受Al<,x>Ga<,1-x>As材料与水汽反应速率限制的过程....
- 黄静郭霞渠红伟廉鹏董立闽朱文军杜金玉邹德恕沈光地
- 关键词：VCSEL垂直腔面发射激光器
- 文献传递
- 980nm垂直腔面发射激光器的研制
- 2005年
- 采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL).通过制备不同氧化孔径尺寸的VCSEL,分析了氧化孔径尺寸大小对器件的阈值电流和串联电阻的影响.获得的最小阈值电流为0.8mA,最大光输出功率达8mW.
- 郭霞董立闽渠红伟达小丽杜金玉邓军沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：7
- 2005年
- 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。
- 董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地
- 关键词：VCSELALGAAS湿法氧化
- 一种GaN基LED高反电极
- 本发明涉及一种GaN基LED高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反...
- 沈光地朱彦旭李秉臣郭霞董立闽
- 文献传递
- 隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究
- 2005年
- 文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释。此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合。
- 渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器边发射增益谱
- 电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响被引量：10
- 2006年
- 文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管(LEDs)中,由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤,为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响,加速寿命实验结果表明:电流均匀扩展可以使可靠性得到有效改善。
- 艾伟伟郭霞刘斌董立闽刘莹宋颖娉沈光地
- 关键词：GAN发光二极管可靠性
- AlInGaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器温度特性的对比研究被引量：2
- 2006年
- 通过测量、对比材料生长和器件制备条件基本相似,但是谐振腔腔模波长与增益峰值波长相对位置明显不同的两类氧化物限制型应变AlInGaAs/AlGaAs量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)在261—369K温度范围内输出光功率_电流的变温曲线,同时结合测试得到的两类样品的白光反射谱、光荧光谱以及模拟计算得到的不同温度下VCSEL反射谱和增益谱,分析了输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度变化的关系,掌握了新材料AlInGaAs的温度特性,得到了谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置对VCSEL输出特性,尤其是对阈值的影响规律,指出获得室温工作阈值最低且稳定的VCSEL的一个方法是调整谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置,并利用这种方法获得了特征温度T0=333K的AlInGaAs/AlGaAs量子阱VCSEL器件.
- 陈敏郭霞关宝璐邓军董立闽沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 垂直腔面发射激光器的研制
- 采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分...
- 郭霞董立闽达小丽渠红伟邓军杜金玉邹德恕沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器特性分析半导体激光器
- 文献传递
- 用于发光管的抗静电保护电路
- 用于发光管的抗静电保护电路，属于半导体光电子技术领域，它是将一组串联对接二极管与发光管并接在电路中，串联对接二极管可以为负极互连，也可以正极互连；当串联对接二极管的负极互连时，正极分别连接发光管两极，而当串联对接二极管的...
- 邹德恕沈光地张剑铭郭霞王新潮董立闽
- 文献传递
