郝先人
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 无源UHF RFID电子标签模拟前端设计(英文)被引量：4
- 2007年
- 提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的高性能无源UHF RFID电子标签模拟前端,在915MHz ISM频带下工作时其电流小于8μA.该模拟前端除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量.该RFID模拟前端包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等.该芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0·35μm2P4M CMOS工艺进行流片,读取距离大于3m,芯片面积为300μm×720μm.
- 陈力颖吴顺华毛陆虹郝先人
- 关键词：RFID无源电子标签模拟前端低功耗
- 低功耗限制的级间匹配型2.45GHz低噪声放大器设计被引量：1
- 2008年
- 文章在分析传统LNA结构的基础上,针对其存在的两个问题,提出了相应的改进方法,并用chartered 0.35μm RFCMOS工艺设计了一个工作于2.45GHz的LNA。改进之一是在共源共栅管之间加一匹配电感,抑制共栅管对噪声系数的影响,使噪声系数从1.759dB降低为1.63dB,增益从32.36dB增大到36.31dB。之二是在输入管的栅源之间加一电容,保证了在功耗降低的情况下,仍然能同时满足功率和噪声匹配要求,使噪声系数基本保持不变。
- 杨展毛陆虹郝先人李彦明陈铭义
- 关键词：低噪声放大器噪声系数级间匹配
- 用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达被引量：1
- 2006年
- 研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向.
- 陈铭义毛陆虹郝先人张世林郭维廉
- 关键词：喇曼放大SOI脊形波导PIN结构
- 无源UHF RFID应答器芯片模拟前端设计
- 随着自动识别技术的发展以及其应用范围的不断扩大，要求将整个集成电路模块或整个系统集成到单个芯片，形成片上系统(SOC)以增强芯片功能和降低系统成本。利用超高频(UHF)电磁波进行工作并全集成的无源式射频识别(RFID)应...
- 郝先人
- 关键词：自动识别技术芯片设计
- 文献传递
- 1 V低功耗套筒式CMOS运算放大器的设计
- 2006年
- 介绍了一种用于低电压CMOS模拟集成电路设计的阈值调节思想。利用该思想,在0.35μm标准CMOS工艺条件下,设计出电源电压仅为1 V的套筒结构集成运算放大器(Tele-scopic OPA)。HSPICE仿真表明,与传统结构相比,新型结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低。
- 郝先人毛陆虹杨展陈铭义
- 关键词：低压低功耗CMOS
