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饶峰

作品数：103 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 98篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇自动化与计算...
  • 8篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 75篇相变存储
  • 75篇存储器
  • 74篇相变存储器
  • 55篇相变材料
  • 38篇相变
  • 31篇温度
  • 31篇结晶温度
  • 19篇晶态
  • 19篇功耗
  • 15篇晶粒
  • 15篇非晶
  • 15篇非晶态
  • 12篇电阻
  • 11篇低功耗
  • 10篇SUB
  • 9篇可逆
  • 9篇复合相变
  • 8篇存储器单元
  • 7篇电极
  • 7篇可逆变化

机构

  • 103篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 103篇饶峰
  • 102篇宋志棠
  • 65篇吴良才
  • 36篇刘波
  • 26篇朱敏
  • 26篇任堃
  • 21篇彭程
  • 21篇封松林
  • 20篇宋三年
  • 15篇周夕淋
  • 10篇夏梦姣
  • 7篇吕业刚
  • 5篇王玉婵
  • 5篇陈邦明
  • 5篇陈小刚
  • 4篇张挺
  • 4篇许建安
  • 3篇陈一峰
  • 3篇陈后鹏
  • 3篇王月青

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 9篇2015
  • 15篇2014
  • 21篇2013
  • 26篇2012
  • 13篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
共 103 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Al<Sub>x</Sub>(Sb<Sub>y</Sub>Te<Sub>1</Sub>)...
彭程吴良才饶峰宋志棠刘波周夕淋朱敏
一种相变存储器单元及其制备方法
本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变单元的操作速度；采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜，以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相变材料可以是二元的材料体系，...
周夕淋宋志棠吴良才饶峰
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低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法
本发明提供一种低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，所述限制型电极结构包括：基底，具有金属层及覆盖于金属层上的绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以...
饶峰任堃宋志棠
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快速模拟出相变材料的方法及新型相变材料
本发明提供一种快速模拟出相变材料的方法，其首先建立能形成A<Sub>j</Sub>B<Sub>i</Sub>二元晶态化合物的A和B元素库，并分别从A和B元素库中选择出相应的元素以模拟形成A<Sub>j</Sub>B<Su...
宋志棠饶峰
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用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料
本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(Si<Sub>a</Sub>Sb<Sub>b</Sub>Te<Sub>c</Sub>...
周夕淋吴良才宋志棠饶峰彭程朱敏
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新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究
2013年
采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)﹑刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好。
张徐刘波宋三年姚栋宁朱敏饶峰吴良才宋志棠封松林
关键词：干法刻蚀
用于相变存储器的相变材料
本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，该相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料，通式为Al<Sub>2</Sub>Te<Sub>x</Sub>，其中，1≤x≤30，且所述相变材料在电信号操作下可以实现高低阻值的反...
任堃饶峰宋志棠刘波
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低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法
本发明提供一种低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，所述环形电极结构包括：基底，具有金属层及绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨...
饶峰任堃宋志棠
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具有类超晶格结构的相变存储单元及其制备方法
本发明提供一种具有类超晶格结构的相变存储单元，其包括相变材料层，所述相变材料层是由单层GaSb层与单层相变材料Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>层在纳米级厚度单层周期交替生长而形成的类超晶格结构。所...
吕业刚宋三年宋志棠吴良才饶峰刘波
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一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法
本发明公开了一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法。该材料具有在多种外在因素单独或联合作用下发生纳秒级可逆相变的性能；所述因素包括电场、压力、温度；所述纳秒级可逆相变是指材料内部原子、原子团或分子发生有序与无序排布...
宋志棠饶峰吴良才
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