黄毅文
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种无电感超宽带低噪声放大器的设计被引量：2
- 2009年
- 基于Jazz 0．35μm SiGe工艺，设计了一款工作在3～10GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器。该放大器采用电阻负反馈结构，并在发射极并联电容，以补偿晶体管高频增益的下降。仿真结果显示，在整个工作频带内，放大器的增益在22．3dB以上，平坦度保持在1dB以内，噪声系数在3．7dB到4．6dB之间，输入输出反射系数（S11及S22）均在-12dB以下。整个设计最大的优点是没有用到片上电感，使得芯片面积大大缩小，对于商业应用具有极大的吸引力。
- 黄毅文张万荣谢红云沈珮黄璐胡宁
- 关键词：超宽带低噪声放大器SIGEHBT
- 新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析被引量：5
- 2010年
- 提出了一种发射极指分段和非均匀发射极指长、指间距组合的新型器件结构,以改善多指功率硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)的热稳定性。考虑器件具有多层热阻,发展建立了相应的热传导模型。以十指功率SiGe HBT为例,运用有限元方法对其进行热模拟,得到三维温度分布。与传统发射极结构器件相比,新结构器件最高结温从416.3 K下降到405 K,各个发射指上的高低温差从7 K～8 K下降为1.5 K～3 K,热阻值下降14.67 K/W,器件整体温度分布更加均匀。
- 胡宁张万荣谢红云金冬月陈亮沈珮黄璐黄毅文王扬
- 关键词：异质结双极晶体管有限元方法热模拟
- 超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析被引量：3
- 2011年
- 设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。
- 沈珮张万荣金冬月谢红云黄毅文
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管噪声系数
- 兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计
- 2009年
- 选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的要求。该放大器在3.1-10.6 GHz的带宽内增益达到12.7 dB,增益变化小于等于1.8 dB,噪声小于3.85 dB,群延时小于24 ps,静态功耗仅为6.3 mW。
- 黄璐张万荣谢红云沈珮黄毅文胡宁
- 关键词：低噪声放大器超宽带宽带匹配群延时
- 采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT低噪声放大器设计被引量：1
- 2010年
- 宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配。通常,这两个指标是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度。提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路,在输出端消除了输入匹配网络引入的噪声,实现阻抗匹配和噪声匹配的去耦。基于Jazz0.35μmSiGe工艺,设计了一款采用该噪声抵消技术的宽带低噪声放大器。放大器的工作带宽为0.8-2.4GHz,增益在16dB以上,噪声系数小于3.25dB,S在-17dB以下。
- 孙博韬张万荣谢红云陈亮沈珮黄毅文尤云霞王任卿
- 关键词：低噪声放大器阻抗匹配噪声匹配SIGE工艺
