黄璐
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种无电感超宽带低噪声放大器的设计被引量：2
- 2009年
- 基于Jazz 0．35μm SiGe工艺，设计了一款工作在3～10GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器。该放大器采用电阻负反馈结构，并在发射极并联电容，以补偿晶体管高频增益的下降。仿真结果显示，在整个工作频带内，放大器的增益在22．3dB以上，平坦度保持在1dB以内，噪声系数在3．7dB到4．6dB之间，输入输出反射系数（S11及S22）均在-12dB以下。整个设计最大的优点是没有用到片上电感，使得芯片面积大大缩小，对于商业应用具有极大的吸引力。
- 黄毅文张万荣谢红云沈珮黄璐胡宁
- 关键词：超宽带低噪声放大器SIGEHBT
- 改善放大器噪声性能的SiGe HBT几何参数优化设计
- 2012年
- 研究有源器件SiGe HBT的几何参数对单片低噪声放大器(LNA)噪声性能的影响.基于0.35μm SiGeBiCMOS工艺,研制了4款采用不同几何参数的SiGe HBT LNA.实验结果显示,在给定的偏置条件下,当发射极宽长比较小时,小范围改变发射极宽度对噪声系数(NF)改善微弱,但适当增长发射极条长和增加发射极条数明显降低了NF,且不牺牲增益.另外,与采用其他几何尺寸的SiGe HBT LNAs相比,选用器件发射极面积为AE=4μm×40μm×4的LNA性能最优,在0.2～1.2 GHz内获得低至2.7 dB的噪声系数,高达26.7 dB的相关增益和最接近于50Ω的最佳噪声源阻抗.由于没有使用占片面积大的电感,放大器芯片面积仅为0.2 mm2.
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- 关键词：低噪声放大器噪声系数
- 新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析被引量：5
- 2010年
- 提出了一种发射极指分段和非均匀发射极指长、指间距组合的新型器件结构,以改善多指功率硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)的热稳定性。考虑器件具有多层热阻,发展建立了相应的热传导模型。以十指功率SiGe HBT为例,运用有限元方法对其进行热模拟,得到三维温度分布。与传统发射极结构器件相比,新结构器件最高结温从416.3 K下降到405 K,各个发射指上的高低温差从7 K～8 K下降为1.5 K～3 K,热阻值下降14.67 K/W,器件整体温度分布更加均匀。
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- 关键词：异质结双极晶体管有限元方法热模拟
- 兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计
- 2009年
- 选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的要求。该放大器在3.1-10.6 GHz的带宽内增益达到12.7 dB,增益变化小于等于1.8 dB,噪声小于3.85 dB,群延时小于24 ps,静态功耗仅为6.3 mW。
- 黄璐张万荣谢红云沈珮黄毅文胡宁
- 关键词：低噪声放大器超宽带宽带匹配群延时
