区健锋
- 作品数：5 被引量：15H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家部委预研基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- VFD驱动控制专用电路的设计研究
- 真空荧光显示屏/(VFD/)以其具有广阔的视野角、鲜明的显示效果、反应速度快以及获得更多色彩,在VCD、DVD等电器产品中得到越来越多应用。论文基于集成电路常用设计流程,采用“自顶向下”的设计思路,从整个芯片的功能要求出...
- 区健锋
- 文献传递
- 可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT等效电路模型
- 本文基于SiGeHBT的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.本文将该模型嵌入了PSPICE软件的...
- 区健锋张鹤鸣胡辉勇戴显英宣荣喜俞智刚王喜媛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管等效电路模型PSPICE
- 文献传递
- 应变Si 调制掺杂NMOSFET阈值电压模型
- 本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构...
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜区健锋王喜媛
- 关键词：应变硅调制掺杂阈值电压
- 文献传递
- SiGe HBT大信号等效电路模型被引量：8
- 2006年
- 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGeHBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.
- 胡辉勇张鹤鸣吕懿戴显英侯慧区健锋王伟王喜嫒
- 关键词：SIGEHBT等效电路模型PSPICE
- 应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型被引量：7
- 2005年
- 应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英王顺祥朱永刚区健锋俞智刚马何平王喜媛
- 关键词：应变硅调制掺杂阈值电压
