张鹤鸣
- 作品数：478 被引量：270H指数：9
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>
- 一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件及制备方法
- 本发明适用于NMOS集成器件，提供了一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件，及用微米级工艺制备所述应变SiGe回型沟道NMOS集成器件的制备方法，所述制备方法过程为：在衬底上连续生长Si外延层、第一应变SiGe轻掺杂源...
- 胡辉勇宣荣喜张鹤鸣宋建军吕懿王海栋王斌郝跃
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- 一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法，首先在Si衬底片上制备埋层，生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形...
- 宋建军胡辉勇舒斌王海栋张鹤鸣宣荣喜郝跃
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- 一种双多晶双应变混合晶面Si基BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了双多晶双应变混合晶面Si基BiCMOS集成器件及制备方法，首先制备SOI衬底，上层基体材料为（110）晶面，下层基体材料为（100）晶面；生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe/...
- 张鹤鸣吕懿胡辉勇王海栋宋建军宣荣喜舒斌郝跃
- 文献传递
- Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法，该激光器从下往上依次包括硅衬底、Si<Sub>0.5</Sub>Ge<Sub>0.5</Sub>缓冲层、硅锗超晶格和SiO<Sub>2</Sub>，在硅锗超晶格...
- 舒斌吴继宝古牧范林西陈景明张鹤鸣宣荣喜胡辉勇宋建军王斌
- (001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构被引量：6
- 2011年
- 首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.
- 马建立张鹤鸣宋建军王冠宇王晓艳
- 单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型被引量：1
- 2015年
- 本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电压模型中,使得所建立的模型能直观地反映出源漏电流特性与应力强度的关系.并且对于亚阈区电流模型,基于亚阈区反型电荷,而不是采用常用的有效沟道厚度近似的概念,从而提高了模型的精度.同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型的可行性.该模型已经被嵌入进电路仿真器中,实现了对单轴应变Si MOSFET器件和电路的模拟仿真.
- 吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇殷树娟周春宇
- 关键词：迁移率阈值电压
- 漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响
- 2011年
- 结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
- 王晓艳张鹤鸣王冠宇宋建军秦珊珊屈江涛
- 关键词：阈值电压模型
- 可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT等效电路模型
- 本文基于SiGeHBT的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.本文将该模型嵌入了PSPICE软件的...
- 区健锋张鹤鸣胡辉勇戴显英宣荣喜俞智刚王喜媛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管等效电路模型PSPICE
- 文献传递
- SiGe HBT大信号扩散电容模型研究
- 2006年
- 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGeHBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGeHBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜李立姜涛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
- 用于SiGe材料生长的新型UHV/UV/CVD系统被引量：5
- 2000年
- 介绍了新近研制的用于 Si Ge材料生长的超高真空 ( UHV) /紫外光 ( UV) /能量辅助 CVD工艺系统。
- 刘洪宁孙建诚胡辉勇张鹤鸣
- 关键词：硅锗超高真空化学气相淀积
