您的位置： 专家智库 > >

舒斌

作品数：286 被引量：57H指数：5
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 247篇专利
  • 27篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 66篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 4篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 100篇BICMOS
  • 87篇应变SI
  • 74篇双极器件
  • 70篇迁移率
  • 46篇光刻
  • 45篇多晶
  • 44篇自对准
  • 40篇刻蚀
  • 37篇电路
  • 35篇晶面
  • 34篇空穴
  • 34篇集成电路
  • 30篇空穴迁移率
  • 29篇发射区
  • 28篇迁移
  • 27篇离子注入
  • 26篇互连
  • 26篇互连线
  • 25篇电子迁移率
  • 21篇淀积

机构

  • 286篇西安电子科技...
  • 1篇宝鸡文理学院
  • 1篇辽宁工程技术...
  • 1篇中航华东光电...

作者

  • 286篇舒斌
  • 274篇胡辉勇
  • 250篇张鹤鸣
  • 233篇宣荣喜
  • 226篇宋建军
  • 114篇郝跃
  • 105篇王斌
  • 75篇戴显英
  • 58篇吕懿
  • 43篇李妤晨
  • 43篇周春宇
  • 30篇王海栋
  • 23篇苏汉
  • 16篇陈景明
  • 14篇赵丽霞
  • 13篇刘翔宇
  • 13篇吴继宝
  • 11篇王冠宇
  • 10篇徐小波
  • 10篇王晓燕

传媒

  • 13篇物理学报
  • 5篇第十三届全国...
  • 3篇电子科技
  • 3篇Journa...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇电子器件
  • 1篇红外
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇宝鸡文理学院...
  • 1篇湖北汽车工业...

年份

  • 1篇2024
  • 8篇2023
  • 6篇2022
  • 7篇2021
  • 18篇2020
  • 7篇2019
  • 19篇2018
  • 18篇2017
  • 20篇2016
  • 54篇2015
  • 13篇2014
  • 4篇2013
  • 57篇2012
  • 3篇2011
  • 13篇2010
  • 14篇2009
  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 286 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种级联H桥光伏逆变器的改进型POD调制策略
本发明公开一种级联H桥光伏逆变器的改进型POD调制策略，包括：根据每个H桥模块左右桥臂的开关状态得到所述两个H桥模块包含的16个开关状态；在所述两个H桥模块的直流输入电压相同时，计算所述16个开关状态中每个开关状态对应的...
宣荣喜滕飞胡辉勇王斌张鹤鸣舒斌唐子程宋建军
垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法
本发明公开了一种垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法，该器件从下往上依次包括硅衬底、弛豫SiGe缓冲层、弛豫Si<Sub>0.7</Sub>Ge<Sub>0.3</Sub>虚衬底、n<Sup>+<...
舒斌吴继宝范林西陈景明张鹤鸣宣荣喜胡辉勇宋建军王斌
文献传递
SiN掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法
本发明公开了一种SiN掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-Si/SiN/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口，再淀积一层SiN；刻蚀衬...
胡辉勇张鹤鸣戴显英宋建军舒斌宣荣喜赵丽霞王晓燕秦珊珊
文献传递
具有SiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种具有SiO<Sub>2</Sub>保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽；(c)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型...
王斌胡辉勇郝敏如苏汉张鹤鸣宣荣喜舒斌宋建军
一种基于三多晶SiGe HBT的混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了基于三多晶SiGe？HBT的混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；刻蚀双极器件有源区，生长N型Si外延，制备集电区，...
张鹤鸣李妤晨胡辉勇宋建军王海栋宣荣喜舒斌郝跃
文献传递
一种SOI应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种制备SOI应变SiGe？BiCMOS集成器件及电路制备方法，在SOI衬底片上的双极器件区域制造常规的SOI双极晶体管；在SOI衬底上光刻MOS有源区，在该有源区生长应变SiGe材料，分别形成NMOS和PM...
胡辉勇宋建军李妤晨张鹤鸣宣荣喜舒斌戴显英郝跃
文献传递
基于Si衬底的应变Ge<Sub>1‑x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>薄膜材料及其制备方法
本发明涉及一种基于Si衬底的应变Ge<Sub>1‑x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>薄膜材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；在第一温度下，Ge衬底表面生长第一Ge籽晶层；在第二温度下，在第一Ge籽晶层...
刘洋宋建军蔡丽莹胡辉勇宣荣喜舒斌张鹤鸣
文献传递
光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法
本发明提供的一种光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法，通过生长Si层和SiO<Sub>2</Sub>层，使得Si层与SiO2层构成布拉格反射镜结构提高耦合效率，在P型Si材料层刻蚀形成的聚焦型非均匀光栅结构，在P...
舒斌张二同朱佳迪胡辉勇王利明景文龙
基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
本发明公开了一种基于多层辅助结构制备具有多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly－SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly－Si多层结构；将最上层的Poly...
张鹤鸣戴显英舒斌宣荣喜胡辉勇宋建军王冠宇徐小波屈江涛
文献传递
一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器件制备方法，首先制备SOI衬底，在衬底上刻蚀双极器件区域，在该区域利用化学汽相淀积（CVD）方法和自对准工艺制备双多晶SiGe HBT器件，接着光刻MOS有源区，在...
胡辉勇张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌周春宇王斌郝跃
文献传递
全选 清除 导出
共29页<12345678910>
聚类工具0