您的位置： 专家智库 > >

宋建军

作品数：361 被引量：108H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 293篇专利
  • 56篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 79篇电子电信
  • 23篇理学
  • 7篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 121篇应变SI
  • 107篇BICMOS
  • 90篇迁移率
  • 80篇双极器件
  • 61篇自对准
  • 61篇刻蚀
  • 59篇光刻
  • 56篇多晶
  • 49篇沟道
  • 44篇电路
  • 42篇晶面
  • 41篇空穴
  • 41篇集成电路
  • 36篇迁移
  • 35篇离子注入
  • 35篇空穴迁移率
  • 32篇电子迁移率
  • 32篇发射区
  • 30篇淀积
  • 29篇SOI

机构

  • 361篇西安电子科技...
  • 4篇辽宁工程技术...
  • 3篇中电集团
  • 2篇宝鸡文理学院
  • 1篇贵州大学
  • 1篇西安科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇中国航天北京...

作者

  • 361篇宋建军
  • 321篇张鹤鸣
  • 318篇胡辉勇
  • 305篇宣荣喜
  • 226篇舒斌
  • 148篇郝跃
  • 105篇王斌
  • 85篇戴显英
  • 67篇周春宇
  • 56篇王海栋
  • 56篇吕懿
  • 54篇李妤晨
  • 25篇王冠宇
  • 19篇苏汉
  • 16篇陈景明
  • 14篇赵丽霞
  • 13篇刘伟峰
  • 13篇刘翔宇
  • 12篇秦珊珊
  • 11篇任远

传媒

  • 37篇物理学报
  • 6篇固体电子学研...
  • 4篇电子器件
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇湖北汽车工业...
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 3篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 15篇2020
  • 14篇2019
  • 34篇2018
  • 17篇2017
  • 28篇2016
  • 69篇2015
  • 15篇2014
  • 9篇2013
  • 76篇2012
  • 15篇2011
  • 20篇2010
  • 19篇2009
  • 9篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2005
共 361 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法
本发明公开了一种SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly－Si/SiO<Sub>2</Sub>/Poly－Si多层结构；将最上层的Pol...
张鹤鸣宣荣喜戴显英宋建军舒斌胡辉勇王冠宇秦珊珊王晓燕
文献传递
一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区，形成SiGe HBT器件；...
胡辉勇张鹤鸣周春宇宋建军李妤晨宣荣喜舒斌郝跃
文献传递
SOI三维CMOS集成器件及其制作方法
本发明公开了一种SOI三维CMOS集成器件及其制作方法，它是微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维CMOS集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI...
张鹤鸣胡辉勇戴显英宣荣喜舒斌宋建军王冠宇
文献传递
基于GeSiC选择外延的直接带隙改性Ge材料及其制备方法
本发明涉及一种基于GeSiC选择外延的直接带隙改性Ge材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；利用刻蚀工艺对第二Ge层进行刻蚀形成位于中间位置的多个Ge台阶；在第二Ge层表面淀积S...
曹世杰宋建军苗渊浩宣荣喜胡辉勇张鹤鸣
文献传递
一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后，在双极器件区域刻蚀深槽，在双极器件有源区连续生长制备SiGe HBT器件的集电区、基区和发射区，并形成多晶S...
张鹤鸣宋建军李妤晨胡辉勇周春宇宣荣喜戴显英郝跃
文献传递
一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及电路制备方法，在衬底上生长N型Si外延，制备深槽隔离，形成集电极接触区，干法刻蚀形成氮化物侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光...
张鹤鸣王海栋胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌戴显英郝跃
一种三应变三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种三应变、三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法，在衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，制备集电极接触区，再制备基区和发射区，然后形成SiGe HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区...
胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌张鹤鸣李妤晨吕懿郝跃
一种基于SOI衬底的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种基于SOI衬底的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底片上生长N型Si外延，制备深槽隔离，在双极器件区域制造常规的Si双极晶体管；分别光刻NMOS和PMOS器件有源区沟槽，在NMOS和PM...
胡辉勇宣荣喜张鹤鸣宋建军王斌舒斌戴显英郝跃
文献传递
ZnO压敏电阻器性能的改进被引量：6
2005年
为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用共沉淀法制得含五种添加剂的复合添加剂。用该复合添加剂、ZnO、Sb2O3及Al(NO3)3溶液混合球磨后的粉体制成氧化锌压敏电阻器。通过TEM和粒度测试,分析了复合添加剂的尺寸和微观结构,并对电阻器的性能进行了测试。结果表明:采用化学共沉淀方法制备的复合添加剂粉体粒径小,活性大。用该添加剂制备的氧化锌压敏电阻器的通流能力,较传统工艺提高35%,其漏电流约为0.1μA,非线性系数为53。
宋建军曹全喜李智敏
关键词：电子技术氧化锌压敏电阻器化学共沉淀复合添加剂通流能力
一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后，在双极器件区域刻蚀深槽，在该槽中连续生长制备器件的集电区、基区和发射区，多晶硅基极和发射极，形成SiGe HBT...
张鹤鸣吕懿周春宇宣荣喜胡辉勇舒斌宋建军郝跃
文献传递
全选 清除 导出
共37页<12345678910>
聚类工具0