胡辉勇
- 作品数：460 被引量：193H指数：7
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金国家部委资助项目模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究
- 2012年
- 针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型。运用Matlab对模型进行计算,获得阈值电压随多晶SiGe栅Ge组分、栅长、氧化层厚度、弛豫SiGe虚拟衬底Ge组分、掺杂浓度以及漏源偏压的变化规律,I-V特性计算结果表明MOS器件采用Si基应变技术将有更高的输出特性。用器件仿真软件ISETCAD对模型结构进行仿真,所得结果与Matlab计算结果一致,从而证明了该模型的正确性,为小尺寸应变Si MOS器件的分析设计提供了参考。
- 屈江涛张鹤鸣胡辉勇徐小波王晓艳
- 关键词：硅锗合金应变硅阈值电压
- SiGe选择外延致Ge准直接带隙半导体材料及其制备方法
- 本发明涉及一种SiGe选择外延致Ge准直接带隙半导体材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；在第二Ge层表面涂抹光刻胶，采用光刻工艺曝光光刻胶，保留第二Ge层表面中心位置处的光刻胶...
- 苗渊浩宋建军黄云霞胡辉勇宣荣喜张鹤鸣
- 文献传递
- 一种基于金属微流道的制冷型LTCC微系统及其制备方法
- 本发明公开了一种基于金属微流道的制冷型LTCC微系统及其制备方法，包括：LTCC基板、带有若干微流道的金属块、热源芯片、若干TEC芯片、若干器件、围框、盖板、若干管脚。本发明的TEC芯片的冷端冷量用于给热源芯片降温同时保...
- 王斌蔺孝堃史鑫龙陈睿王坤宋宇祥胡辉勇
- pnp型SiGe HBT特性与Ge组分分布的相关性
- 2003年
- 在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge组分的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,而特征频率情况类似。
- 王喜媛张鹤鸣戴显英胡辉勇
- 关键词：HBTGE组分分布
- 一种基于SOI衬底的应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种基于SOI衬底的应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法，首先在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，制备深槽隔离，分别光刻集电区、基区浅槽隔离区域，进行离子注入，形成集电极、基极以...
- 宋建军张鹤鸣吕懿李妤晨胡辉勇宣荣喜舒斌郝跃
- 文献传递
- 一种基于自对准工艺的平面应变BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种基于自对准工艺的应变平面BiCMOS集成器件及制备方法，首先在衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离和集电极接触区，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，淀积N型Poly-Si，去除掉发射...
- 胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌张鹤鸣周春宇戴显英郝跃
- 文献传递
- 一种基于自对准工艺的三多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法
- 本发明适用于半导体集成电路技术领域，提供了一种基于自对准工艺的三多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延，光刻浅槽隔离区域，制备浅槽隔离，刻蚀并磷离子注入，形成集电极接触区...
- 张鹤鸣王斌宣荣喜胡辉勇宋建军王海栋周春宇郝跃
- 文献传递
- 三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法
- 本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI衬底，...
- 胡辉勇张鹤鸣宣荣喜戴显英宋建军舒斌赵丽霞
- 文献传递
- 一种应变Si/应变SiGe-HBT BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种应变Si/应变SiGe-HBT器件BiCMOS集成器件及制备方法：在衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区以及集电极，形成SiGe？HBT器件；制备P...
- 胡辉勇宣荣喜张鹤鸣宋建军王海栋舒斌李妤晨郝跃
- 文献传递
- 一种FD CMOS结构及其制备方法
- 本发明公开了一种FD CMOS结构及其制备方法，该FD CMOS结构包括nMOS和pMOS，所述nMOS包括由半导体衬底的顶层半导体形成的第一沟道区和设置在所述第一沟道区上的第一栅电极，所述pMOS包括由半导体衬底的顶层...
- 王利明胡辉勇王斌舒斌孟令尧杨茂龙史鑫龙陈睿宣荣喜张鹤鸣
- 文献传递
