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王斌

作品数：264 被引量：34H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 226篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 17篇学位论文
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 59篇电子电信
  • 39篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇文化科学
  • 3篇经济管理
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇天文地球

主题

  • 46篇图像
  • 42篇应变SI
  • 31篇光刻
  • 31篇BICMOS
  • 28篇迁移率
  • 25篇电路
  • 24篇双极器件
  • 21篇淀积
  • 20篇天线
  • 19篇刻蚀
  • 18篇多晶
  • 18篇二极管
  • 17篇离子注入
  • 16篇PIN二极管
  • 15篇离子注入工艺
  • 13篇等离子天线
  • 13篇水平集
  • 12篇等离子体
  • 11篇电极
  • 11篇网络

机构

  • 264篇西安电子科技...
  • 1篇辽宁工程技术...
  • 1篇佳木斯大学
  • 1篇重庆邮电大学

作者

  • 264篇王斌
  • 148篇胡辉勇
  • 115篇张鹤鸣
  • 108篇宣荣喜
  • 105篇舒斌
  • 105篇宋建军
  • 58篇郝跃
  • 42篇王颖
  • 33篇李洁
  • 32篇王海栋
  • 30篇高新波
  • 24篇周春宇
  • 22篇张建龙
  • 18篇王秀美
  • 18篇邓成
  • 18篇苏汉
  • 17篇吕懿
  • 14篇李妤晨
  • 13篇吴继宝
  • 12篇路文

传媒

  • 12篇物理学报
  • 2篇电子器件
  • 1篇城市轨道交通...
  • 1篇电信快报
  • 1篇世界电信
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2024
  • 20篇2023
  • 13篇2022
  • 21篇2021
  • 19篇2020
  • 17篇2019
  • 13篇2018
  • 21篇2017
  • 20篇2016
  • 34篇2015
  • 11篇2014
  • 14篇2013
  • 31篇2012
  • 8篇2011
  • 4篇2010
  • 6篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2003
共 264 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法
本发明公开了一种SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，淀积介质层，制备浅槽隔离，光刻集电区浅槽隔离区域，制备集电区浅槽隔离，刻蚀并淀积介质层，...
宋建军胡辉勇吕懿张鹤鸣宣荣喜王斌舒斌郝跃
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氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法
本发明公开了一种氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法，该红外LED器件包括硅衬底以及设置在硅衬底上的锗缓冲层，锗缓冲层上从左往右依次设有铝电极、横向P‑I‑N锗锡层、氮化硅层和铝电极，所述锗锡P‑I‑N结构上...
舒斌陈景明范林西吴继宝张鹤鸣宣荣喜胡辉勇宋建军王斌
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一种混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法。其过程为：制备一片SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；在衬底片上生长N型Si外延，制备深槽隔离，在双极器件区域制...
胡辉勇宣荣喜张鹤鸣吕懿王斌舒斌宋建军郝跃
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近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括本征Si衬底层，位于本征Si衬底层上方的绝缘反射层，位于绝缘反射层上方的本征Ge衬底层，位于本征Ge衬底层表面两侧的金属电极，以及位于金属...
王利明魏颖孙浩胡辉勇张一驰王博张蓓邵际芳苑西西王斌舒斌
一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区，隔离槽的深度大于等于SOI衬底的顶层硅的厚度；刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P...
王斌苏汉张鹤鸣王禹胡辉勇舒斌宋建军宣荣喜苗渊浩
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摄像机定标与单视测量技术研究
本文主要研究了与计算机视觉相关的两方面技术：摄像机定标技术与基于单视图像的测量技术。 基于平面模板的摄像机定标算法在摄像机定标技术中占有重要定位。这种算法通常要涉及到模板的识别与匹配。对于常用的棋盘格模板，传统...
王斌
关键词：计算机视觉摄像机定标测量技术
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一种应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种用微米级工艺制备应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法，该方法通过外延材料制备步骤、隔离制备步骤、漏连接区制备步骤和PMOS形成步骤，形成PMOS器件；最后通过构成PMOS集成电路步骤构成导电沟道长度...
张鹤鸣王海栋胡辉勇宋建军宣荣喜王斌周春宇郝跃
基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形...
王斌杨佳音张鹤鸣郝敏如胡辉勇宋建军舒斌宣荣喜苏汉
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一种SOI SiGe BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种制备SOI？SiGe？BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延，制备浅槽隔离，形成集电极接触区，刻蚀形成侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，淀积N型Po...
王斌胡辉勇张鹤鸣周春宇宋建军王海栋宣荣喜郝跃
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一种基于自对准工艺的双多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法
本发明适用于半导体集成电路技术领域，提供了一种基于自对准工艺的双多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延，光刻浅槽隔离区域，制备浅槽隔离，刻蚀并磷离子注入，形成集电极接触区，依次淀积...
胡辉勇宋建军王斌张鹤鸣宣荣喜王海栋周春宇郝跃
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