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张峰

作品数：61 被引量：3H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 4篇会议论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 32篇碳化硅
  • 11篇半导体
  • 11篇衬底
  • 8篇肖特基
  • 6篇氧化层
  • 6篇栅氧化
  • 6篇栅氧化层
  • 6篇势垒
  • 6篇沟槽
  • 6篇硅薄膜
  • 6篇硅源
  • 6篇掺杂
  • 5篇碳化硅薄膜
  • 5篇外延层
  • 5篇肖特基二极管
  • 5篇金属
  • 5篇二极管
  • 5篇4H-SIC
  • 4篇导通
  • 4篇电场

机构

  • 61篇中国科学院
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 61篇张峰
  • 54篇刘兴昉
  • 54篇王雷
  • 53篇孙国胜
  • 53篇赵万顺
  • 52篇曾一平
  • 50篇闫果果
  • 20篇刘斌
  • 17篇刘胜北
  • 11篇郑柳
  • 10篇董林
  • 9篇田丽欣
  • 6篇陈俊
  • 3篇樊中朝
  • 3篇何志
  • 2篇杨富华
  • 2篇杨香
  • 2篇赵永梅
  • 1篇赵咏梅
  • 1篇宋庆文

传媒

  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇科技纵览
  • 1篇智能电网
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 10篇2015
  • 8篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
共 61 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅材料腐蚀炉
一种碳化硅材料腐蚀炉，包括：一主体加热炉，为耐热陶瓷构成的上端开口的中空圆柱体，内壁面有隔热材料，外壁面为不锈钢材料，耐热陶瓷内埋设有电炉丝；一镍质炉盖，位于主体加热炉的开口上方；一镍坩埚，位于主体加热炉内；一镍篮旋转装...
董林孙国胜赵万顺王雷刘兴昉刘斌张峰闫果果郑柳刘胜北
文献传递
沟槽型MOS势垒肖特基二极管
一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管，包括：一衬底；一外延薄膜，其制作在衬底上，该外延薄膜的中间有一凸台，该凸台的侧壁为平面；一保护环，其制作在外延薄膜的凸台的周围，并位于凸台周围的平面向下；一绝缘介质薄膜，其制作在外延薄膜...
郑柳孙国胜张峰刘兴昉王雷赵万顺闫果果董林刘胜北刘斌田丽欣曾一平
文献传递
原子层沉积Al2O3薄膜与4H-SiC衬底界面的退火研究
本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O)，生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm。然后将Al...
张峰Feng ZhangGuosheng Sun孙国胜Liu Zheng郑柳Shengbei Liu刘胜北Bin Liu刘斌Lin Dong董林Wanshun Zhao赵万顺Lei Wang王雷Guoguo Yan闫果果刘兴昉Xingfang LiuYiping Zeng曾一平
关键词：氧化铝薄膜原子层沉积退火工艺
文献传递
BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的原子层沉积方法
一种BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的原子层沉积方法，包括：清洗薄膜生长的基底；将形成有一层羟基的基底放入生长室并导入含Bi的前体；向生长室中再通入氮气，清除羟基与Bi前体的反应残余物；向生长室导入氧化剂，使氧化剂...
张峰孙国胜王雷赵万顺刘兴昉曾一平
文献传递
格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法
本公开提供了一种格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法，包括：利用第一格栅贴紧碳化硅衬底的外延晶面，在未被第一格栅的栅条遮蔽的区域外延生长具有第一掺杂类型的第一外延结构；去除第一格栅，利用第二格栅遮蔽碳化硅衬底的外延晶面，在未...
刘兴昉闫果果申占伟温正欣陈俊赵万顺王雷张峰孙国胜曾一平
侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法
本公开提供了一种侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法，包括：利用第一石墨烯模板与硅源反应生成第一掺杂类型的第一碳化硅结构；在第一碳化硅结构的横向相邻部位，利用第二石墨烯模板与硅源反应生成第二掺杂类型的第二碳化硅结构；其中，第...
刘兴昉申占伟闫果果温正欣陈俊王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
用于碳化硅生长的高温装置及方法
本发明一种用于碳化硅生长的高温装置及方法，该装置包括：一外壳，为筒形结构；一生长室，为筒形结构，其位于外壳的中间；一出气管，其固定在生长室的顶部；一温度探测器，其固定在生长室的顶部；一生长源进气管，其位于生长室内的侧壁，...
刘兴昉刘斌闫果果刘胜北田丽欣申占伟王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
文献传递
在SiC材料中获取二维电子气的方法
本发明提供一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底；步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层。本发明可以用在SiC基开关器件的制造...
申占伟张峰赵万顺王雷闫果果刘兴昉孙国胜曾一平
一种新型的4H-SiC沟槽型MOS势垒肖特基二极管的设计和模拟研究
在本文中，介绍了一种新型4H-SiC基TMBS器件的设计一方案及其电学特性模拟结果。这种新型的器件结构的特点在于：沟槽侧壁的氧化层设计的较薄，目的是加强沟槽侧壁MOS结构的电荷耦合作用，使器件在承受高反压的情况下更好的夹...
郑柳孙国胜张峰刘胜北董林刘兴昉刘斌闫果果王雷赵万顺
关键词：肖特基二极管氮化硅电学特性
文献传递
碳化硅外延层区域掺杂的方法
一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括：取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺...
刘兴昉刘斌闫果果刘胜北王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
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