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高立刚

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇陶瓷靶材
  • 4篇靶材
  • 3篇介电
  • 3篇介质
  • 2篇导电
  • 2篇导电性
  • 2篇电解质
  • 2篇电介质
  • 2篇电介质材料
  • 2篇栅电介质材料
  • 2篇小尺寸
  • 2篇离子
  • 2篇离子导电
  • 2篇离子导电性
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光束
  • 2篇介电系数

机构

  • 7篇南京大学

作者

  • 7篇高立刚
  • 6篇殷江
  • 6篇刘治国
  • 4篇夏奕东
  • 4篇国洪轩
  • 2篇汤振杰
  • 2篇闫小兵

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaN基MOSFET及其制备方法
本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub>x</Sub>(SiO<Sub>2</Sub>)<Sub>1-x</Sub>薄膜与GaN衬底之...
刘治国高立刚汤振杰夏奕东殷江
固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ag<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>1－x－y</Sub>，简称Ag－Ge－O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其...
国洪轩闫小兵高立刚殷江刘治国
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GaN基MOSFET及其制备方法
本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub>x</Sub>(SiO<Sub>2</Sub>)<Sub>1-x</Sub>薄膜与GaN衬底之...
刘治国高立刚汤振杰夏奕东殷江
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固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ag<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>1-x-y</Sub>，简称Ag-Ge-O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其...
国洪轩闫小兵高立刚殷江刘治国
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高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用，该薄膜的化学式为(La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub>x</Sub>(SiO<Sub>2</Sub>)<Sub>1－x</...
高立刚国洪轩夏奕东殷江刘治国
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用于新型半导体的氧化镧基高介电栅介质材料的研究
随着CMOS器件的特征尺寸越来越小和集成度的不断提高,为了提高栅极对沟道的控制能力,SiO2栅介质层的厚度也随着栅极线宽的不断缩小而越来越薄。随之出现的漏电流和功耗增大,驱动电流减小以及硼(磷)杂质隧穿导致器件性能下降等...
高立刚
关键词：氧化物半导体激光沉积
高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用，该薄膜的化学式为(La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub>x</Sub>(SiO<Sub>2</Sub>)<Sub>1-x</...
高立刚国洪轩夏奕东殷江刘治国
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