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谢浩瑞

作品数:1 被引量:5H指数:1
供职机构:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文基金:吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电极
  • 1篇腔面
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇径向
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇功率
  • 1篇发射激光器
  • 1篇垂直腔
  • 1篇垂直腔面
  • 1篇垂直腔面发射
  • 1篇垂直腔面发射...
  • 1篇高功率

机构

  • 1篇长春理工大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 1篇冯源
  • 1篇郝永芹
  • 1篇侯立峰
  • 1篇钟钢
  • 1篇王玉霞
  • 1篇姜晓光
  • 1篇谢浩瑞
  • 1篇赵英杰

传媒

  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器被引量:5
2010年
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低热阻,提高器件的散热能力。实验制备了出光孔径同为200μm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器,并对器件的性能进行了实验对比测试。结果表明径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件的微分电阻为0.43Ω;室温下最大输出功率可达340 mW,是常规电极垂直腔面发射半导体激光器的1.7倍;器件的热阻为0.095℃/mW,在80℃时,仍能正常激射,具有良好的热特性,径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器的光电特性与温度特性要远好于常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器器件。
侯立峰钟钢赵英杰王玉霞郝永芹冯源姜晓光谢浩瑞
关键词:垂直腔面发射激光器
共1页<1>
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