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检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法: 本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现...; 介万奇徐亚东王涛查钢强何亦辉郭榕榕; 文献传递

室温核辐射CdZnTe像素探测器的研制被引量：1: 2011年; 采用布里奇曼法生长的CdZnTe（CZT）单晶,制成室温核辐射像素探测器。首先通过红外透过显微（IRTM）成像、电阻率测量以及单元探测器能谱响应测试等手段,综合评定了探测器用CZT晶体的质量,结果表明,晶片富Te相密度为28.43 mm-2且尺寸分布较均匀,电阻率为1010Ω.cm;电子迁移率寿命积为1.07×10-3cm2/V,晶片质量完全达到像素探测器的制作要求。采用光刻及双层胶剥离技术在CZT晶片表面制备出4×4像素Au电极,制备出金属-半导体-金属（MSM）结构像素阵列探测器,并研究了像素探测器的H2O2溶液湿法钝化和低能氧离子轰击干法钝化工艺,钝化后16个像素在100 V偏压下的漏电流为0.79~1.2 nA。室温下测试像素探测器对未经准直的241Am@59.5 keVγ射线的能谱响应,结合Shockley-Ramo理论,分析了不同像素能谱响应的影响规律。; 郭榕榕介万奇查钢强王涛徐亚东郭庆真; 关键词：钝化能量分辨率

探测器用CdZnTe晶体载流子输运过程的研究: 化合物半导体碲锌镉（CdZnTe)晶体被认为是最具潜力的室温半导体核辐射探测器材料。然而由于生长过程以及后续器件制备过程的复杂性，在晶体内部形成各种缺陷，对载流子输运过程以及器件性能产生严重影响，制约着高品质CdZnTe...; 郭榕榕; 关键词：化合物半导体 CDZNTE晶体载流子输运空间电荷辐照损伤; 文献传递

检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置: 本实用新型公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置视场小的技术问题。技术方案是所述光源(1)通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)的一端；所述载物台(6)是三维自动平移台，通...; 介万奇徐亚东王涛查钢强何亦辉郭榕榕; 文献传递

载流子输运性能对CdZnTe晶体脉冲X射线响应特性的影响被引量：3: 2014年; 采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线。分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2 ns,且不受外加偏压影响,而脉冲衰减过程可分为3阶段。利用α粒子结合飞行时间技术研究了CdZnTe晶体的载流子传输特性,分析了结构缺陷的散射和俘获-佉俘获对载流子传输特性的影响。同时对比了不同厚度的CdZnTe探测器在不同电压下对脉冲X射线的响应特性。结果表明,当外加电场强度增加时,诱导脉冲电流曲线的半峰宽呈指数衰减,但当探测器厚度大于0.2 mm时,随着探测器厚度的增加变化不明显。可能是由于材料中结构缺陷的浓度增加,对载流子的俘获和散射作用加剧,严重影响了载流子的传输过程和复合时间。; 徐亚东王昌盛谷亚旭郭榕榕苏春磊介万奇; 关键词：CDZNTE 载流子俘获中心

检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法: 本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现...; 介万奇徐亚东王涛查钢强何亦辉郭榕榕

CdZnTe像素探测器的制备与表征被引量：3: 2015年; 本文采用CdZnTe单晶制成像素探测器,并对其能谱响应特性及均匀性进行了系统表征。通过I-V和能谱响应测试,测定了晶体的电阻率和载流子迁移率与寿命的积,并用红外透过显微成像观察了晶体内Te夹杂的分布特性。采用光刻、剥离和真空蒸镀技术,在CdZnTe晶片上制备了8×8的像素电极,用丝网印刷和贴片技术通过导电银胶实现像素电极与读出电路的准确连接,制备出CdZnTe像素探测器。对像素探测器的测试表明,-300V下单像素最大漏电流小于0.7nA,对241 Am 59.5keV的能量分辨率可达5.6%,优于平面探测器。进一步分析了晶体内Te夹杂等缺陷对探测器漏电流和能谱响应特性的影响规律,结果表明,Te夹杂的聚集会显著增加漏电流,并降低探测器的能量分辨率。; 王闯查钢强齐阳郭榕榕王光祺介万奇; 关键词：CDZNTE 能量分辨率

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郭榕榕