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李琼

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇红外
  • 2篇零偏
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光电探测...
  • 2篇半导体
  • 2篇测量方法
  • 1篇锑化物
  • 1篇面阵
  • 1篇截距
  • 1篇截面
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面阵列
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇暗电流
  • 1篇INAS/G...

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 3篇黄建亮
  • 3篇张艳华
  • 3篇马文全
  • 3篇李琼
  • 1篇曹玉莲
  • 1篇崔凯
  • 1篇郭晓璐
  • 1篇卫炀
  • 1篇黄文军
  • 1篇刘珂

传媒

  • 1篇航空兵器

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
锑化物二类超晶格红外探测器被引量：3
2019年
本文主要展示了近几年来该课题小组在InAs/GaSb二类超晶格红外探测器领域取得的一些研究成果,如在短波波段(1～3μm)、中波波段(3～5μm)、长波波段(8～12μm)、甚长波波段(>14μm)等单色器件的成果,以及双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器方面的成果,如短/中波双色、短波/甚长波双色,长波/甚长波双色红外探测器等单管器件。除此之外,还展示了384×288中波波段InAs/GaSb二类超晶格红外焦平面探测器组件。
黄建亮张艳华张艳华黄文军曹玉莲卫炀黄文军郭晓璐李琼卫炀崔凯
关键词：INAS/GASB焦平面阵列红外探测器
近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法
本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值<Image file="DDA0000483533920000011.GIF" he="...
李琼马文全张艳华黄建亮
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近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法
本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值<Image file="DDA0000483533920000011.GIF" he="...
李琼马文全张艳华黄建亮
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