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李宝吉

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划苏州市国际科技合作项目更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 2篇电池
  • 2篇生长面
  • 2篇太阳电池
  • 2篇晶格
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇过渡层
  • 2篇非掺杂
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇OS
  • 2篇超晶格
  • 2篇衬底
  • 1篇带隙结构
  • 1篇导体
  • 1篇电池材料
  • 1篇信号
  • 1篇信号显示

机构

  • 8篇中国科学院
  • 2篇北京科技大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 8篇李宝吉
  • 6篇陆书龙
  • 4篇吴渊渊
  • 2篇王乃明
  • 2篇季莲
  • 2篇郑新和
  • 2篇杨文献
  • 1篇张继军
  • 1篇甘兴源
  • 1篇代盼
  • 1篇赵勇明
  • 1篇谭明
  • 1篇王海啸
  • 1篇马忠权
  • 1篇顾俊
  • 1篇夏宇
  • 1篇杨辉
  • 1篇陈曦

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
基于Os衬底的外延结构及其制作方法
本发明公开了一种基于Os衬底的外延结构，其包括Os衬底和依次生长于Os衬底上的AlN过渡层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层及InGaN/GaN多量子阱。其中，所述Os衬底以(100)面作为外延生长面，并且所述Os衬底的晶体...
李宝吉吴渊渊陆书龙
文献传递
图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响
2016年
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征。结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度。通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重,而采用图形化衬底生长的InGaN原子排列清晰规则。这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式,这种生长模式可有效地抑制穿透位错在GaN材料体系中的纵向延伸,降低GaN缓冲层中的位错密度,进而抑制外延InGaN材料中穿透位错和V型缺陷的产生。
李宝吉吴渊渊陆书龙张继军
关键词：INGAN分子束外延晶体质量
GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性被引量：2
2015年
采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。
郑新和夏宇刘三姐王瑾侯彩霞王乃明卢建娅李宝吉
关键词：超晶格太阳电池分子束外延生长
基于Os衬底的外延结构及其制作方法
本发明公开了一种基于Os衬底的外延结构，其包括Os衬底和依次生长于Os衬底上的AlN过渡层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层及InGaN/GaN多量子阱。其中，所述Os衬底以(100)面作为外延生长面，并且所述Os衬底的晶体...
李宝吉吴渊渊陆书龙
文献传递
半导体薄膜材料的实时质量检测系统
本实用新型公开了一种半导体薄膜材料的实时质量检测系统，其主要利用半导体薄膜材料的发光原理检测材料的内部缺陷、带隙结构以及组分均匀性等材料特点。该检测系统包括：激光光源系统，用以提供设定波长的激光光束照射待检测半导体薄膜；...
李宝吉卢建娅杨文献陆书龙
文献传递
不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性
2015年
本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复性和界面品质变好,然而当继续增加周期厚度至30 nm时,超晶格品质劣化.上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论.同时,通过退火优化,实现了周期厚度为20 nm的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池,短路电流密度超过10 mA/cm2.
王乃明郑新和陈曦甘兴源王海啸李宝吉卢建娅杨辉
关键词：分子束外延太阳电池快速退火
基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究被引量：1
2015年
利用分子束外延方法制备了应用于四结光伏电池的1.05 eV InGaAsP薄膜,并对其超快光学特性进行了研究.温度和激发功率有关的发光特性表明:InGaAsP材料以自由激子发光为主.室温下InGaAsP材料的载流子发光弛豫时间达到10.4 ns,且随激发功率增大而增大.发光弛豫时间随温度升高呈现S形变化,在低于50 K时随温度升高而增大,在50-150 K之间时减小,而温度高于150 K时再次增大.基于载流子弛豫动力学,分析并解释了温度及非辐射复合中心浓度对样品材料载流子发光弛豫时间S形变化的影响.
杨文献季莲代盼谭明吴渊渊卢建娅李宝吉顾俊陆书龙马忠权
关键词：分子束外延
一种分子束外延的材料生长原位监测装置
一种分子束外延的材料生长原位监测装置，其中，包括激光光源模块、接收模块、数据处理模块和分子束外延腔体，所述分子束外延腔体内设置有用于监测的样品，所述激光光源模块用于发射光束照射所述样品，经样品反射后形成反射光束，被所述接...
李宝吉赵勇明季莲陆书龙
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