张贺强
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 酸腐蚀工艺对硅片表面粗糙度的影响
- 2024年
- 为了缩减工艺成本,提高硅片表面光泽度,降低表面粗糙度,降低表面金属含量,提高生产效率,对HNO_(3)∶HF∶CH_(3)COOH混合酸体系的反应机理进行了分析,通过改变酸腐蚀去除量,腐蚀液温度等工艺参数可有效控制超薄硅片腐蚀反应速度,降低表面粗糙度,提高表面光泽度。发现去除量达到100μm以后,表面粗糙度可达到0.065μm,同一条件下,腐蚀液温度为45℃时,表面粗糙度最小,反射率最高。
- 于妍康洪亮张贺强田原
- 关键词：单晶硅片酸腐蚀粗糙度
- 切割晶向对〈111〉型单晶硅翘曲度的影响被引量：1
- 2017年
- 许多晶体在多线切割过程中都存在一定程度上的各向异性,主要研究不同砂浆状态及切入方向(晶向)对游离磨料多线切割〈111〉单晶硅翘曲度的影响。建立游离磨料线锯切割单晶硅模型,理论上分析了〈111〉晶向单晶硅不同切入方向对晶片翘曲度的影响。结果表明:对〈111〉型单晶硅而言,随着砂浆使用次数的增加,所切得硅片的翘曲度逐渐增大;从[110]、[110]、[011]、[011]、[101]及[101]六个晶向切入可有效降低晶片的翘曲度,提高晶片表面质量;在砂浆等其他状态相同的情况下,沿此六个晶向切割后硅片的翘曲度普遍比其他方向切割小4~8μm。
- 李聪张贺强李志远
- 关键词：线锯硅片
- 衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究
- 2014年
- 硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而影响键合质量。
- 张贺强
- 关键词：硅片抛光片键合质量
