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肖志雄

作品数：6 被引量：61H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇版图
  • 4篇版图设计
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇汽车
  • 2篇汽车导航
  • 2篇陀螺
  • 2篇牺牲层
  • 2篇机械加工
  • 2篇机械加工技术
  • 2篇键合
  • 2篇角速度
  • 2篇固有频率
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇干法
  • 1篇掩膜
  • 1篇应力
  • 1篇粘附

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇武国英
  • 6篇王阳元
  • 6篇肖志雄
  • 5篇郝一龙
  • 4篇李志宏
  • 4篇张大成
  • 4篇张国炳
  • 3篇李婷
  • 2篇刘诗美
  • 2篇陈文茹
  • 1篇张太平
  • 1篇张录
  • 1篇张锦文

传媒

  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺。通常采用的表面牺牲层工艺,在腐蚀后的清洗干燥过程中,多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中,同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱;并分别利用氮...
肖志雄郝一龙张国炳李婷张大成刘诗美李志宏陈文茹武国英王阳元
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一种横向检测式陀螺
本发明是一种横向检测式陀螺，它是利用科立奥利力检测角速度的一种仪器。本发明立足于半导体的版图设计，在横向检测式微硅陀螺质量块上的四角处配置对称的八根梁，使得驱动与检测两方向的固有频率安全一致，以使得该陀螺的性能最佳。它是...
肖志雄李志宏郝一龙武国英王阳元
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硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究被引量：61
2002年
本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ;
王阳元武国英郝一龙张大成肖志雄李婷张国炳张锦文
关键词：硅基键合多晶硅应力微机电系统
一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法
本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。;本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用...
肖志雄郝一龙张国炳李婷张大成刘诗美李志宏陈文茹武国英王阳元
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一种横向检测式陀螺
本发明是一种横向检测式陀螺,它是利用科立奥利力检测角速度的一种仪器。本发明立足于半导体的版图设计,在横向检测式微硅陀螺质量块上的四角处配置对称的八根梁,使得驱动与检测两方向的固有频率完全一致,以使得该陀螺的性能最佳。它是...
肖志雄李志宏郝一龙武国英王阳元
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硅/硅键合质量测试仪
本实用新型是硅/硅键合质量测试仪。硅/硅直接键合技术广泛地应用于SOI(在绝缘层上的硅)材料的制造、不同材料之间的连接及体硅微机械传感器与执行器的制造。硅片键合界面空洞的检测是关键技术之一。本实用新型采用普通CCD摄像仪...
肖志雄张大成武国英张录张太平张国炳王阳元
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