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任忠祥

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：山东师范大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇芯片
  • 2篇金属硅化物
  • 2篇金属化
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率晶体管
  • 2篇管壳
  • 2篇管芯
  • 2篇硅化物
  • 2篇硅芯片

机构

  • 2篇山东师范大学

作者

  • 2篇庄惠照
  • 2篇薛成山
  • 2篇田淑芬
  • 2篇陆大荣
  • 2篇任忠祥

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
功率晶体管的制造方法
本发明涉及功率晶体管的制造方法，其主要特点是：(1)集电极多层金属化时，上粘附层所采用的金属与硅芯片低温下形成金属硅化物；(2)阻挡层分别与上粘附层和下粘附层之间溅射形成交叉层；(3)将管芯焊在管壳上时采用了新软焊料，采...
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提高功率晶体管间歇寿命的工艺
本发明涉及提高功率晶体管间歇寿命的工艺。其主要特点是(1)集电极多层金属化时，上粘附层所采用的金属与硅芯片低温下形成金属硅化物；(2)阻挡层分别与上粘附层和下粘附层之间有一层交叉层；(3)将管芯焊在管壳上时采用了新的软焊...
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