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时凯

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇电学
  • 2篇电阻
  • 2篇压力传感器
  • 2篇压阻
  • 2篇压阻式
  • 2篇图形化
  • 2篇气体流量
  • 2篇气体流量传感...
  • 2篇热传导
  • 2篇热电阻
  • 2篇力传感器
  • 2篇流量传感器
  • 2篇加热电阻
  • 2篇硅片

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇曾鸿江
  • 4篇时凯
  • 4篇胡国俊
  • 2篇谷永先

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种气体流量传感器及其制作方法
本发明公开了一种气体流量传感器及其制作方法，该气体流量传感器包括衬底基片、微加热电阻、上游微测温电阻、下游微测温电阻、环境电阻。衬底基片开设有凹槽，微加热电阻、上游微测温电阻、下游微测温电阻的两端均固定在衬底基片上而悬梁...
曾鸿江胡国俊谷永先时凯
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一种气体流量传感器
本实用新型公开了一种气体流量传感器，该气体流量传感器包括衬底基片、微加热电阻、上游微测温电阻、下游微测温电阻、环境电阻。衬底基片开设有凹槽，微加热电阻、上游微测温电阻、下游微测温电阻的两端均固定在衬底基片上而悬梁于凹槽上...
曾鸿江胡国俊谷永先时凯
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一种压阻式MEMS压力传感器及其制备方法
本发明涉及一种压阻式MEMS压力传感器及其制备方法，传感器包括位置由下至上依次设置的，单晶硅片基底、第一绝缘层、单晶硅片压力膜、第二绝缘层、图形化金属引线、第三绝缘层；单晶硅片基底的上表面开设有凹槽，压阻条由单晶硅片压力...
曾鸿江胡国俊时凯
一种压阻式MEMS压力传感器及其制备方法
本发明涉及一种压阻式MEMS压力传感器及其制备方法，传感器包括位置由下至上依次设置的，单晶硅片基底、第一绝缘层、单晶硅片压力膜、第二绝缘层、图形化金属引线、第三绝缘层；单晶硅片基底的上表面开设有凹槽，压阻条由单晶硅片压力...
曾鸿江胡国俊时凯
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