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赵颖

作品数：25 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 16篇衬底
  • 12篇砂纸
  • 12篇ALN薄膜
  • 10篇图形衬底
  • 9篇SUB
  • 8篇条纹
  • 6篇技术工艺
  • 6篇成核
  • 5篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇深紫外
  • 4篇化物
  • 4篇极紫外
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 4篇非极性
  • 4篇SIC
  • 2篇代理
  • 2篇电磁

机构

  • 25篇西安电子科技...

作者

  • 25篇赵颖
  • 19篇张进成
  • 19篇许晟瑞
  • 19篇郝跃
  • 12篇李培咸
  • 12篇姜腾
  • 12篇林志宇
  • 10篇牛牧童
  • 6篇樊永祥
  • 4篇孟锡俊
  • 4篇范晓萌
  • 2篇张金风
  • 2篇谭示崇
  • 2篇周小伟
  • 2篇庞辽军
  • 2篇曹潮
  • 2篇曲志华
  • 1篇周威
  • 1篇杨林
  • 1篇赵勋旺

传媒

  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 8篇2019
  • 1篇2018
  • 9篇2017
  • 2篇2015
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电磁算法的置信度评估方法研究
随着电磁仿真技术的发展和仿真需求的增加,仿真系统的应用范围越来越广,复杂程度也越来越高。人们在逐步增加对仿真系统重要性认识的同时,也引来了对其正确性的质疑,因此对仿真系统进行可信度评估工作显得格外重要。统计学方法虽然能在...
赵颖
关键词：电磁算法建模仿真
基于代理的用户设备可信接入认证方法
本发明公开了一种基于代理的用户设备可信接入认证方法。主要解决现有的用户设备认证时间过长，无线网络覆盖范围小，且无线网络的安全性得不到保障的问题。其技术方案是：用户设备探寻认证服务器，若能够探寻到认证服务器，则用户设备与认...
庞辽军曹潮赵颖曲志华谭示崇
文献传递
基于m面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的半极性AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于m面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al<S...
许晟瑞赵颖范晓萌李培咸牛牧童张进成林志宇姜腾郝跃
基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
许晟瑞彭若诗赵颖林志宇孟锡俊张进成刘大为李培咸牛牧童黄俊郝跃
文献传递
基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的c面Al<Sub>2<...
许晟瑞赵颖杜金娟张进成牛牧童林志宇李培咸姜腾郝跃
基于r面SiC图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、...
许晟瑞赵颖彭若诗张进成林志宇樊永祥姜腾郝跃
金刚石衬底上的AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道异质结及制备方法
本发明公开了一种金刚石衬底上的AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道异质结及制备方法，主要解决传统的AlGaN/GaN基双沟道异质结极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：[111]晶向金刚石衬底层；低...
许晟瑞王若冰许文强赵颖张金风张雅超张进成郝跃
文献传递
基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500um厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000...
周小伟赵颖杜金娟许晟瑞张进成樊永祥姜腾郝跃
文献传递
一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法
本发明公开了一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法，该异质结包括：具有若干凹槽的金刚石衬底、位于凹槽内的AlN层以及位于金刚石衬底表面的GaN外延层和AlN外延层。本发明提供的多槽式金刚石衬底环绕的A...
许晟瑞许文强张金风赵颖王若冰张雅超张进成郝跃
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al<Sub>2</...
许晟瑞赵颖范晓萌李培咸牛牧童张进成林志宇姜腾郝跃
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