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梁亚楠

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇势垒
  • 6篇GAN
  • 4篇势垒层
  • 4篇HEMT器件
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化物
  • 3篇化物
  • 2篇钝化
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结二极管
  • 2篇增强型
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇漏电流
  • 2篇结构层
  • 2篇开启电压
  • 2篇二极管
  • 2篇反向漏电
  • 2篇反向漏电流

机构

  • 7篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京大学

作者

  • 7篇梁亚楠
  • 5篇樊中朝
  • 5篇贾利芳
  • 5篇何志
  • 4篇杨富华
  • 4篇刘志强
  • 4篇李迪
  • 4篇程哲
  • 4篇王晓东
  • 1篇邓小社
  • 1篇张大成
  • 1篇张韵

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
一种GaN基异质结二极管及其制备方法
本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，该GaN基异质结二极管包括：依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层；在部分势垒层上形成部分凹槽区域，高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面；阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓...
梁亚楠贾利芳何志樊中朝颜伟杨富华
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
文献传递
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
文献传递
AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
2016年
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一。概述了AlGaN/GaN器件缓冲层陷阱的研究方法,分析了各种方法的优缺点。重点介绍了基于电容、电流瞬态测试的方法。介绍了基于电容瞬态测试方法中的热激发的电容式深能级瞬态谱(DLTS)、光激发的开启电容恢复和光激发的深能级光谱(DLOS)方法;直接通过电流瞬态测试难以区分陷阱的位置,总结了基于此方法的不同偏压条件下的电流瞬态测试、背栅电流瞬态谱、无栅极的源-漏测试结构分析方法。电容和电流瞬态测试方法具有灵敏度高的优点,适用于缓冲层陷阱的分析,为抑制电流崩塌提供了理论指导。
邓小社梁亚楠贾利芳樊中朝何志张韵张大成
关键词：ALGAN缓冲层
一种GaN基异质结二极管及其制备方法
本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，该GaN基异质结二极管包括：依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层；在部分势垒层上形成部分凹槽区域，高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面；阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓...
梁亚楠贾利芳何志樊中朝颜伟杨富华
文献传递
一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
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