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刘建朋

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇光刻
  • 4篇高宽比
  • 3篇电子束光刻
  • 3篇电子束曝光
  • 2篇电子束曝光技...
  • 2篇淀积
  • 2篇子层
  • 2篇自对准
  • 2篇波带片
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇亚波长
  • 1篇衍射
  • 1篇衍射效率
  • 1篇硬X射线
  • 1篇深反应离子刻...
  • 1篇石墨

机构

  • 7篇复旦大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 7篇陈宜方
  • 7篇刘建朋
  • 6篇陆冰睿
  • 2篇李欣
  • 2篇张思超
  • 1篇邓彪
  • 1篇肖体乔
  • 1篇李俊洁
  • 1篇马亚琪
  • 1篇李欣
  • 1篇陈烁
  • 1篇孙艳

传媒

  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 2篇2017
  • 5篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
自对准双层X射线波带片的制备方法
本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括：在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳...
陈宜方刘建朋陆冰睿李欣
亚波长金柱阵列局域表面等离子体共振气液传感器及其制备方法
本发明属于纳米加工技术领域，具体为一种亚波长金柱阵列局域表面等离子体共振气液传感器及其制备方法。本发明利用电子束光刻在电子束光刻胶上形成亚波长周期性的圆孔阵列，进而利用该结构作为支架结合微电镀的方法生长金立柱，在剥离工艺...
陈宜方马亚琪陆冰睿刘建朋张思超
文献传递
大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化被引量：4
2017年
针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。
李欣刘建朋陈烁张思超邓彪肖体乔孙艳陈宜方
关键词：HSQ深反应离子刻蚀高宽比硬X射线
一种非损伤石墨烯纳米器件的制作方法
本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100-300nm氮化硅隔膜上旋涂300-600nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100-2...
陈宜方李俊洁刘建朋陆冰睿邵金海
文献传递
自对准双层X射线波带片的制备方法
本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括：在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳...
陈宜方刘建朋陆冰睿李欣
文献传递
一种高高宽比X射线透镜的制备的方法
本发明属于电子束光刻加工技术领域，具体为一种高高宽比X射线透镜的制备方法。其步骤包括：在淀积有金属种子层的基片或者隔膜上，利用电子束曝光技术在光刻胶上制备出X光会聚透镜的设计图形，然后利用纳米电镀的工艺，得到高高宽比的c...
陈宜方刘建朋邵金海陆冰睿
文献传递
一种具有光学边缘的氮化硅隔膜的制备方法
本发明属于器件工艺制备技术领域，具体为一种具有光学边缘的氮化硅隔膜的制备方法。本发明步骤包括：在<100>晶向的硅片上淀积低应力的氮化硅薄膜，利用光刻技术制备出光刻的图形，然后利用RIE刻蚀要去掉的氮化硅薄膜...
陈宜方刘建朋陆冰睿
文献传递
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