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CdSiP2晶体生长过程中坩埚材料对晶体的影响研究: 采用X射线能谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS),分别测试了石英坩埚和氮化硼(PBN)坩埚生长的CdSiP单晶表面成分。测试结果表明:采用石英坩埚生长出的CdSiP晶体表面成分为Cd,Si,P,O四种元素,原子百...; 吴敬尧朱世富赵北君何知宇陈宝军黄巍孙宁林莉; 关键词：晶体生长; 文献传递

磷硅镉的差热分析与晶体生长（英文）被引量：2: 2015年; 利用毛细管中的差热分析研究了磷硅镉晶体的热力学性质,得到了磷硅镉的熔点和凝固点分别为1139和1126℃,过冷度为13℃。根据差热分析结果,对晶体生长炉以及温场分布进行了优化,采用改进的布里奇曼法生长得到了直径15 mm,长40 mm的无开裂磷硅镉晶体。利用X射线衍射,能谱以及红外分光光度计对晶体进行了表征。发现了(112)解理面,能谱测试表明晶体符合化学计量配比,在7000~1500 cm^(-1)红外透光范围内红外透过率达到55%。所有表征手段显示得到的晶体结构完整,光学性能良好,可用于器件的制作。; 杨辉朱世富赵北君何知宇陈宝军吴圣灵吴敬尧孙宁; 关键词：晶体生长差热分析

CdSiP_2晶体的生长与热膨胀性质研究: 2015年; 设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达15mm×65mm。采用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱仪对生长的晶体进行测试表明,生长晶体化学成分非常接近CdSiP2的理论化学配比,结晶性良好。运用红外分光光度计以及红外显微镜对厚度2mm的CdSiP2晶片进行了红外光学性能测试,结果表明,在2~5μm范围内的红外透过率在53%以上,晶片的红外透过率均匀性接近90%。对CdSiP2晶体a轴方向与c轴方向的热膨胀系数αa和αc分别进行了测定,在温度620K时,a轴方向的热膨胀系数αa高达4×10-6K-1,几乎为αc的三倍。计算得到Cd-P键rCd-P的热膨胀系数为17×10-6K-1,比Si-P键rSi-P大得多,采用电子结构理论分析了CdSiP2晶体各向异性热膨胀机理。; 杨辉朱世富赵北君何知宇陈宝军孙宁吴敬尧林莉; 关键词：晶体生长布里奇曼法热膨胀

坩埚材料对生长CdSiP_2晶体表面的影响研究被引量：1: 2015年; 针对CdSiP_2晶体生长过程中,晶体表面与石英坩埚内壁严重粘连甚至开裂的问题,研究了柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚生长CdSiP_2晶体的新工艺。运用X射线能量色散谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS)分别对两种坩埚材料生长的CdSiP_2晶体表面元素成分和化学状态进行测试发现,采用石英坩埚生长的CdSiP_2晶体表面主要组分元素为33.31%的Si和65.63%的O,晶体表面Si2p的结合能为103.2 e V,与文献中SiO_2的Si2p结合能一致。进一步的分析表明,高温CdSiP_2熔体离解产物与石英材料反应生成SiO_2界面层是导致晶体严重粘连,甚至开裂成碎块的重要原因;采用柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚能有效解决晶体与器壁的粘连,生长的CdSiP_2晶体完整较好,表面层各组分元素含量接近CdSiP_2理论化学配比1∶1∶2,质量较高。; 吴敬尧朱世富赵北君何知宇陈宝军黄巍孙宁林莉王黎罡; 关键词：晶体生长

CdSiP2单晶退火研究: 以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料,采用双温区气相输运和改进的垂直布里奇曼法合成出高纯单相的CdSi多晶料和尺寸达Φ17×102mm的单晶体。对生长的单晶体进行切割抛光得到CdSi晶片,分别置于真空、镉气氛、磷气氛和...; 孙宁赵北君朱世富何知宇陈宝军黄巍吴敬尧林莉; 关键词：红外透过率 EDS FTIR; 文献传递

CdSiP2单晶退火研究: 以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料，采用双温区气相输运和改进的垂直布里奇曼法合成出高纯单相的CdSiP2多晶料和尺寸达Ф17×102mm的单晶体。对生长的单晶体进行切割抛光得到CdSiP2晶片，分别置于真空、镉气氛、...; 孙宁赵北君朱世富何知宇陈宝军黄巍吴敬尧林莉; 关键词：红外透过率 EDS FTIR

CdSiP2晶体生长过程中坩埚材料对晶体的影响研究: 采用X射线能谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS),分别测试了石英坩埚和氮化硼(PBN)坩埚生长的CdSiP2单晶表面成分.测试结果表明：采用石英坩埚生长出的CdSiP2晶体表面成分为Cd,Si,P,O四种元素,原...; 吴敬尧朱世富赵北君何知宇陈宝军黄巍孙宁林莉; 关键词：晶体生长

CdSiP_2单晶退火研究: 2015年; 以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料,采用双温区气相输运法和改进的垂直布里奇曼法合成生长出等径尺寸为Φ17 mm×65 mm的CdSiP_2单晶锭,经切割抛光得到CdSiP_2晶片。将样品分别置于真空、镉气氛、磷气氛和在同成分粉末包裹中进行了退火试验。采用X射线能量色散谱仪(EDS)和傅里叶红外分光光度计(FTIR)对退火前后的晶片组分及红外透过谱进行了测试分析。结果表明:四种氛围退火前后样品的组分变化不大,原子比接近理想的化学计量比;镉气氛下退火对晶片的红外透过率改善较为显著,在1600~4500 cm^(-1)范围内的红外透过率由46%~52%提高到51%~57%,接近CdSiP_2晶体红外透过率的理论值。; 孙宁赵北君何知宇陈宝军朱世富黄巍吴敬尧林莉钟义凯; 关键词：退火红外透过率

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吴敬尧