赵小红
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响被引量：2
- 2017年
- 基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了有价值的理论指导与实践基础.
- 郝敏如胡辉勇廖晨光王斌赵小红康海燕苏汉张鹤鸣
- 关键词：总剂量
- 白光LED用Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm)y^(3+)红色荧光粉的合成及发光特性被引量：7
- 2015年
- 采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca_(0.71)WO_4:Sm_(0.04)^(3+)Li_(0.250)^+和Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm_y^(3+)(y=0.00,0.02,0.04,0.06),通过X射线衍射(XRD)、荧光分光光度计以及稳态/瞬态荧光光谱仪研究了荧光粉样品的物相、Sm^(3+)的掺杂量对荧光粉发光性能以及荧光寿命的影响。XRD分析表明,合成的样品均为白钨矿结构。荧光光谱表明,所合成的系列荧光粉均可以被近紫外光(393 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,其发射主峰位于615 nm处,归属于Eu^(3+)的~5D_0→~7F_2跃迁。发光衰减曲线表明,Sm^(3+)的掺杂对荧光粉Ca_(0.5)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+荧光寿命没有影响。实验结果表明,在系列Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm^(3+)荧光粉中Sm^(3+)的最佳掺杂量为4%(摩尔分数)。
- 郝敏如胡辉勇李桂芳廖晨光赵小红贺文文
- 关键词：白光发光二极管钐离子固相法
