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苏汉

作品数：25 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 23篇二极管
  • 21篇PIN二极管
  • 20篇天线
  • 18篇等离子天线
  • 14篇离子注入
  • 14篇离子注入工艺
  • 11篇隔离区
  • 8篇晶向
  • 6篇等离子体
  • 6篇淀积
  • 6篇SIGE
  • 5篇原位掺杂
  • 5篇源区
  • 5篇掺杂
  • 4篇刻蚀
  • 3篇载流子
  • 3篇本征
  • 3篇SUB
  • 2篇等离子
  • 2篇等离子体特性

机构

  • 25篇西安电子科技...

作者

  • 25篇苏汉
  • 23篇舒斌
  • 23篇胡辉勇
  • 21篇宣荣喜
  • 20篇张鹤鸣
  • 19篇宋建军
  • 18篇王斌
  • 7篇王禹
  • 5篇杨佳音
  • 4篇史小卫
  • 1篇刘洋
  • 1篇康海燕
  • 1篇赵小红

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 8篇2020
  • 2篇2019
  • 15篇2017
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种GaAs基固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的...
胡辉勇康海燕刘洋张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜苏汉王禹
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一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的SiGeOI衬底，在SiGeOI衬底上设置隔离区；刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层Si...
胡辉勇苏汉卢少锋张鹤鸣舒斌宋建军宣荣喜王禹
文献传递
一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区，隔离槽的深度大于等于SOI衬底的顶层硅的厚度；刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P...
王斌苏汉张鹤鸣王禹胡辉勇舒斌宋建军宣荣喜苗渊浩
基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形...
王斌杨佳音张鹤鸣郝敏如胡辉勇宋建军舒斌宣荣喜苏汉
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固态等离子PIN二极管
本发明涉及一种固态等离子PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101)；第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)，分别设...
王斌胡辉勇陶春阳苏汉史小卫舒斌郝敏如
一种Si‑Ge‑Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件
本发明涉及一种Si‑Ge‑Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深...
胡辉勇王禹朱翔宇张鹤鸣宣荣喜舒斌宋建军苏汉苗渊浩
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具备SiO<Sub>2</Sub>保护层的频率可重构全息天线的制备方法
本发明涉及一种具备SiO<Sub>2</Sub>保护层的频率可重构全息天线的制备方法，所述全息天线包括SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；制备具备SiO<Sub>2</S...
胡辉勇王斌苗渊浩张鹤鸣苏汉郝敏如宣荣喜舒斌宋建军康海燕
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具有SiO<Sub>2</Sub>保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种具有SiO<Sub>2</Sub>保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽；(c)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型...
王斌胡辉勇郝敏如苏汉张鹤鸣宣荣喜舒斌宋建军
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一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区，隔离槽的深度大于等于SOI衬底的顶层硅的厚度；刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P...
王斌苏汉张鹤鸣王禹胡辉勇舒斌宋建军宣荣喜苗渊浩
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AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种AlAs‑Ge‑AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型...
王斌苏汉阎毅强宣荣喜张鹤鸣宋建军舒斌康海燕
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