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贾棋

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 5篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇缺陷层
  • 8篇衬底
  • 6篇单晶
  • 5篇氧化物
  • 4篇预设
  • 4篇离子注入
  • 3篇离子
  • 2篇单光子
  • 2篇单光子探测
  • 2篇单光子探测器
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇氧化钒
  • 2篇探测器
  • 2篇体声波
  • 2篇体声波滤波器
  • 2篇退火
  • 2篇自支撑
  • 2篇最小化
  • 2篇滤波器

机构

  • 19篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 19篇贾棋
  • 17篇欧欣
  • 13篇黄凯
  • 12篇游天桂
  • 10篇王曦
  • 2篇尤立星
  • 2篇张伟君
  • 2篇高波
  • 2篇黄浩
  • 2篇王镇

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于离子束技术的信息材料制备
周民黄凯贾棋林家杰张润春张师斌游天桂欧欣
一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法
本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案，本发明提供的...
欧欣尤立星贾棋张伟君
文献传递
一种相变型氧化钒材料及其制备方法
本发明提供一种相变型氧化钒材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供氧化钒基材，对所述氧化钒基材进行气体离子注入，得到具有预设相变温度的相变型氧化钒材料。后续可选择性地通过进一步退火来调整氧化钒中注入气泡的形成情况...
欧欣贾棋黄凯王曦
利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法
本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法，包括以下步骤：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单...
欧欣游天桂黄凯贾棋伊艾伦王曦
文献传递
一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法
本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案，本发明提供的...
欧欣尤立星贾棋张伟君
利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法
本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法，包括以下步骤：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单...
欧欣游天桂黄凯贾棋伊艾伦王曦
文献传递
一种相变型氧化钒材料及其制备方法
本发明提供一种相变型氧化钒材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供氧化钒基材，对所述氧化钒基材进行气体离子注入，得到具有预设相变温度的相变型氧化钒材料。后续可选择性地通过进一步退火来调整氧化钒中注入气泡的形成情况...
欧欣贾棋黄凯王曦
文献传递
一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法
本发明提供一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得...
欧欣黄凯贾棋游天桂王曦
一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法
本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量‑注入深度分...
吕越黄浩贾棋游天桂伍文涛欧欣高波王镇
文献传递
缺陷调控二氧化钒太赫兹波段光学性质及应用研究
贾棋黄凯林家杰张润春张师斌游天桂王曦欧欣
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共2页<12>
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