2024年7月5日
星期五
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欧欣
作品数:
338
被引量:9
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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一般工业技术
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合作作者
游天桂
中国科学院上海微系统与信息技术...
黄凯
中国科学院上海微系统与信息技术...
王曦
中国科学院上海微系统与信息技术...
贾棋
中国科学院上海微系统与信息技术...
黄浩
中国科学院上海微系统与信息技术...
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作者
338篇
欧欣
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游天桂
111篇
黄凯
50篇
王曦
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贾棋
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黄浩
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2009
1篇
2008
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2007
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一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质
本申请实施例提供一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质,方法包括:对声表面波器件进行建模,得到声表面波器件模型;针对多个预设频率中的每个预设频率,执行:基于预设频率对核心单元模型进行解析处理,得到核心单元模...
欧欣
姚虎林
张师斌
隋东辰
三维集成层间光互联结构及形成方法
本发明提供了一种三维集成层间光互联结构及形成方法,包括:第一功能材料层、光隔离层、第二功能材料层和层间波导;第一功能材料层与第二功能材料层之间通过光隔离层隔离;层间波导位于光隔离层中并连接第一功能材料层和第二功能材料层;...
欧欣
李忠旭
黄凯
陈阳
赵晓蒙
鄢有泉
文献传递
一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法
本发明公开了一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法,利用键合技术将压电单晶晶片其中注入的一面与支撑材料绑定,其键合温度高于后续退火剥离温度,将得到的键合晶圆在低于键合温度的条件下进行退火处理,一段时间后实现压电薄膜的剥...
欧欣
李忠旭
黄凯
赵晓蒙
李文琴
鄢有泉
陈阳
文献传递
一种钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片
本申请实施例涉及一种钽酸锂‑氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片,制备方法包括:提供绝缘体上钽酸锂材料;绝缘体上钽酸锂材料包括上下分布的钽酸锂薄膜层和衬底层;采用晶圆键合法在钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层;去除部分氮化硅薄...
欧欣
周李平
蔡佳辰
王成立
利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法
本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法,包括以下步骤:1)提供氧化物单晶衬底;2)自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入,而后在注入面形成下电极;或在注入面形成下电极,而后自注入面向氧化物单...
欧欣
游天桂
黄凯
贾棋
伊艾伦
王曦
文献传递
半导体器件的制备方法及半导体器件
本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件,该方法通过在第一碳化硅衬底上同质外延一外延层;在外延层中形成的外延缺陷层制作掺杂阱区,并与第二碳化硅衬底进行键合;第一碳化硅衬底的衬底质量高于第二碳化硅衬底的衬底质量;沿...
伊艾伦
欧欣
周民
一种高频声波谐振器及其制备方法
本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法,该高频声波谐振器包括:高声速支撑衬底;绝缘介质层,绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面;压电膜,压电膜位于绝缘介质层的上表面;叉指电极,叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下...
欧欣
郑鹏程
张师斌
周鸿燕
黄凯
异质薄膜复合结构及其制备方法
本发明提供一种异质薄膜复合结构及制备方法,制备包括:提供键合衬底,具有离子注入面;于离子注入面进行离子注入,以在键合衬底的预设深度处形成缺陷层;提供支撑衬底,且具有刻蚀面,自刻蚀面刻蚀支撑衬底,以在支撑衬底上形成凹槽结构...
欧欣
林家杰
黄凯
游天桂
王曦
文献传递
Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基异质集成pn结的制备方法
本发明提供一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基异质集成pn结的制备方法,其包括将n型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料,自待剥离材料...
欧欣
瞿振宇
游天桂
徐文慧
一种可调光栅耦合器
本发明涉及半导体领域和光电集成领域,具体是一种可调光栅耦合器,包括自上而下依次设置的波导层、介质层和衬底层;所述波导层的材料为电光材料,所述波导层的一端形成有耦合光栅;所述耦合光栅两侧均设置有多个电极,所述耦合光栅一侧的...
欧欣
陈阳
黄凯
赵晓蒙
鄢有泉
李忠旭
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