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欧欣

作品数:338 被引量:9H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 325篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 119篇电子电信
  • 15篇金属学及工艺
  • 11篇一般工业技术
  • 8篇理学
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇机械工程
  • 4篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 1篇经济管理

主题

  • 102篇衬底
  • 78篇键合
  • 63篇缺陷层
  • 52篇压电
  • 52篇谐振器
  • 48篇单晶
  • 46篇压电薄膜
  • 46篇半导体
  • 40篇退火
  • 32篇碳化硅
  • 28篇声表面波
  • 28篇晶圆
  • 23篇刻蚀
  • 22篇电子器件
  • 21篇损伤层
  • 21篇光子
  • 20篇退火处理
  • 20篇热应力
  • 18篇氮化镓
  • 18篇离子

机构

  • 338篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇上海凯世通半...
  • 1篇北京大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇上海集成电路...
  • 1篇北京中科信电...
  • 1篇泰州中来光电...
  • 1篇上海临港凯世...
  • 1篇北京烁科中科...

作者

  • 338篇欧欣
  • 134篇游天桂
  • 111篇黄凯
  • 50篇王曦
  • 16篇贾棋
  • 13篇黄浩
  • 7篇王庶民
  • 6篇高波
  • 6篇王镇
  • 3篇武爱民
  • 3篇龚谦
  • 3篇陈静
  • 2篇王长
  • 2篇尤立星
  • 2篇孙佳胤
  • 2篇谢晓明
  • 2篇张伟君
  • 2篇潘文武
  • 1篇郭智
  • 1篇张荣

传媒

  • 2篇光学学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇导航与控制

年份

  • 36篇2024
  • 60篇2023
  • 43篇2022
  • 71篇2021
  • 77篇2020
  • 20篇2019
  • 6篇2018
  • 10篇2017
  • 6篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
338 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质
本申请实施例提供一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质,方法包括:对声表面波器件进行建模,得到声表面波器件模型;针对多个预设频率中的每个预设频率,执行:基于预设频率对核心单元模型进行解析处理,得到核心单元模...
欧欣姚虎林张师斌隋东辰
三维集成层间光互联结构及形成方法
本发明提供了一种三维集成层间光互联结构及形成方法,包括:第一功能材料层、光隔离层、第二功能材料层和层间波导;第一功能材料层与第二功能材料层之间通过光隔离层隔离;层间波导位于光隔离层中并连接第一功能材料层和第二功能材料层;...
欧欣李忠旭黄凯陈阳赵晓蒙鄢有泉
文献传递
一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法
本发明公开了一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法,利用键合技术将压电单晶晶片其中注入的一面与支撑材料绑定,其键合温度高于后续退火剥离温度,将得到的键合晶圆在低于键合温度的条件下进行退火处理,一段时间后实现压电薄膜的剥...
欧欣李忠旭黄凯赵晓蒙李文琴鄢有泉陈阳
文献传递
一种钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片
本申请实施例涉及一种钽酸锂‑氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片,制备方法包括:提供绝缘体上钽酸锂材料;绝缘体上钽酸锂材料包括上下分布的钽酸锂薄膜层和衬底层;采用晶圆键合法在钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层;去除部分氮化硅薄...
欧欣周李平蔡佳辰王成立
利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法
本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法,包括以下步骤:1)提供氧化物单晶衬底;2)自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入,而后在注入面形成下电极;或在注入面形成下电极,而后自注入面向氧化物单...
欧欣游天桂黄凯贾棋伊艾伦王曦
文献传递
半导体器件的制备方法及半导体器件
本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件,该方法通过在第一碳化硅衬底上同质外延一外延层;在外延层中形成的外延缺陷层制作掺杂阱区,并与第二碳化硅衬底进行键合;第一碳化硅衬底的衬底质量高于第二碳化硅衬底的衬底质量;沿...
伊艾伦欧欣周民
一种高频声波谐振器及其制备方法
本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法,该高频声波谐振器包括:高声速支撑衬底;绝缘介质层,绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面;压电膜,压电膜位于绝缘介质层的上表面;叉指电极,叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下...
欧欣郑鹏程张师斌周鸿燕黄凯
异质薄膜复合结构及其制备方法
本发明提供一种异质薄膜复合结构及制备方法,制备包括:提供键合衬底,具有离子注入面;于离子注入面进行离子注入,以在键合衬底的预设深度处形成缺陷层;提供支撑衬底,且具有刻蚀面,自刻蚀面刻蚀支撑衬底,以在支撑衬底上形成凹槽结构...
欧欣林家杰黄凯游天桂王曦
文献传递
Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基异质集成pn结的制备方法
本发明提供一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基异质集成pn结的制备方法,其包括将n型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料,自待剥离材料...
欧欣瞿振宇游天桂徐文慧
一种可调光栅耦合器
本发明涉及半导体领域和光电集成领域,具体是一种可调光栅耦合器,包括自上而下依次设置的波导层、介质层和衬底层;所述波导层的材料为电光材料,所述波导层的一端形成有耦合光栅;所述耦合光栅两侧均设置有多个电极,所述耦合光栅一侧的...
欧欣陈阳黄凯赵晓蒙鄢有泉李忠旭
文献传递
共34页<12345678910>
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