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丁艳

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇外延层
  • 2篇单粒子
  • 2篇导电类型
  • 2篇电流扩展
  • 2篇栅极
  • 2篇中轴线
  • 2篇耦合技术
  • 2篇接触孔
  • 2篇结构层
  • 2篇介质层
  • 2篇晶体管
  • 2篇VDMOS
  • 2篇MOS晶体管
  • 2篇表面层
  • 2篇槽栅
  • 1篇导体
  • 1篇电感

机构

  • 7篇中国科学院微...

作者

  • 7篇丁艳
  • 6篇王立新
  • 6篇孙博韬
  • 4篇张彦飞
  • 2篇肖超
  • 2篇宋李梅
  • 1篇阎跃鹏
  • 1篇梁晓新
  • 1篇王霄

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2019
  • 3篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET
本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET，包括：衬底101；覆盖在衬底101内的第一结构层102；覆盖在第一结构层102内的第二结构层103；覆盖在第二结构层103内的第三结构层104；位于第三结构层10...
丁艳王立新张彦飞孙博韬
文献传递
一种超结MOS晶体管
本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每...
孙博韬王立新张彦飞肖超宋李梅丁艳
文献传递
一种槽栅VDMOS
本发明公开了一种槽栅VDMOS，包括：衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、位于所述第二阱区表面的第一源极、槽型栅极、包围所述槽型栅极的栅氧化层、第二源极纵向场板和包围所述第二源极纵向场板的二氧化硅层；其中，所述衬底、所述外...
孙博韬王立新丁艳
一种超结MOS晶体管
本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每...
孙博韬王立新张彦飞肖超宋李梅丁艳
一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET
本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET，包括：衬底101；覆盖在衬底101内的第一结构层102；覆盖在第一结构层102内的第二结构层103；覆盖在第二结构层103内的第三结构层104；位于第三结构层10...
丁艳王立新张彦飞孙博韬
一种槽栅VDMOS
本发明公开了一种槽栅VDMOS，包括：衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、位于所述第二阱区表面的第一源极、槽型栅极、包围所述槽型栅极的栅氧化层、第二源极纵向场板和包围所述第二源极纵向场板的二氧化硅层；其中，所述衬底、所述外...
孙博韬王立新丁艳
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一种微同轴与芯片互连装置
本发明涉及一种微同轴与芯片互连装置，属于微同轴技术领域，解决了现有的装置存在电感、性能不佳、不利于小型化的问题。该装置包括衬底、多个微同轴结构和芯片；衬底上设置有凹槽，多个微同轴结构依次排列于凹槽内；微同轴结构包括外导体...
丁艳梁晓新阎跃鹏王霄
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