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丁艳
作品数:
7
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电子电信
交通运输工程
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合作作者
孙博韬
中国科学院微电子研究所
王立新
中国科学院微电子研究所
张彦飞
中国科学院微电子研究所
宋李梅
中国科学院微电子研究所
肖超
中国科学院微电子研究所
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中国科学院微...
作者
7篇
丁艳
6篇
王立新
6篇
孙博韬
4篇
张彦飞
2篇
肖超
2篇
宋李梅
1篇
阎跃鹏
1篇
梁晓新
1篇
王霄
年份
1篇
2023
3篇
2019
3篇
2016
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一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET
本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET,包括:衬底101;覆盖在衬底101内的第一结构层102;覆盖在第一结构层102内的第二结构层103;覆盖在第二结构层103内的第三结构层104;位于第三结构层10...
丁艳
王立新
张彦飞
孙博韬
文献传递
一种超结MOS晶体管
本发明公开了一种超结MOS晶体管,其特征在于,包括:外延层,外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱,其中,每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱;多个表面MOS结构,包括:P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极;其中,每...
孙博韬
王立新
张彦飞
肖超
宋李梅
丁艳
文献传递
一种槽栅VDMOS
本发明公开了一种槽栅VDMOS,包括:衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、位于所述第二阱区表面的第一源极、槽型栅极、包围所述槽型栅极的栅氧化层、第二源极纵向场板和包围所述第二源极纵向场板的二氧化硅层;其中,所述衬底、所述外...
孙博韬
王立新
丁艳
一种超结MOS晶体管
本发明公开了一种超结MOS晶体管,其特征在于,包括:外延层,外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱,其中,每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱;多个表面MOS结构,包括:P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极;其中,每...
孙博韬
王立新
张彦飞
肖超
宋李梅
丁艳
一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET
本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET,包括:衬底101;覆盖在衬底101内的第一结构层102;覆盖在第一结构层102内的第二结构层103;覆盖在第二结构层103内的第三结构层104;位于第三结构层10...
丁艳
王立新
张彦飞
孙博韬
一种槽栅VDMOS
本发明公开了一种槽栅VDMOS,包括:衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、位于所述第二阱区表面的第一源极、槽型栅极、包围所述槽型栅极的栅氧化层、第二源极纵向场板和包围所述第二源极纵向场板的二氧化硅层;其中,所述衬底、所述外...
孙博韬
王立新
丁艳
文献传递
一种微同轴与芯片互连装置
本发明涉及一种微同轴与芯片互连装置,属于微同轴技术领域,解决了现有的装置存在电感、性能不佳、不利于小型化的问题。该装置包括衬底、多个微同轴结构和芯片;衬底上设置有凹槽,多个微同轴结构依次排列于凹槽内;微同轴结构包括外导体...
丁艳
梁晓新
阎跃鹏
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