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王金良

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇隧穿
  • 1篇量子
  • 1篇量子隧穿
  • 1篇纳米硅
  • 1篇掺硼

机构

  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇徐刚毅
  • 1篇邓加军
  • 1篇王金良
  • 1篇陈强

年份

  • 1篇2000
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
掺硼纳米硅薄膜电学特性的研究
在等离子化学气相沉积系统中,使用高倍氢稀释硅烷为反应气体,通过加入硼烷(BH)制备掺硼纳米硅薄膜。使用Keithly电流计测得薄膜的电阻,然后计算出其电导率。在低掺硼浓度下,费米能级向带隙中央移动,造成电导激活能的增大和...
邓加军王金良陈强徐刚毅
关键词：纳米硅掺硼量子隧穿
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共1页<1>
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