陈强
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 掺硼纳米硅薄膜电学特性的研究
- 在等离子化学气相沉积系统中,使用高倍氢稀释硅烷为反应气体,通过加入硼烷(BH)制备掺硼纳米硅薄膜。使用Keithly电流计测得薄膜的电阻,然后计算出其电导率。在低掺硼浓度下,费米能级向带隙中央移动,造成电导激活能的增大和...
- 邓加军王金良陈强徐刚毅
- 关键词：纳米硅掺硼量子隧穿
- 文献传递
- LPE-n-In_(0.53)Ga_(0.47)As中少子扩散长度的研究
- 1989年
- 本文用表面光伏法(SPV)测定了在(100)晶向 InP 衬底上液相外延生长的晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As 外延层中的少子扩散长度。已测得的典型结果为:N_D=5×10^(15)cm^(-3),L_P=2μm;N_D=1.2×10^(18)cm^(-3),L_P=0.85μm。此外,还给出了不同浓度(N_D)的 n-InGaAs 中少子扩散长度的变化情况。发现当 N_D 增大时,L_P 随之下降,并且 L_P 下降幅度在高浓度范围内明显加剧。研究结果表明,对于三元合金 n-In_(0.53)Ga_(0.47)As 材料,只要满足一定测试条件,并对样品表面进行必要处理,用 SPV 法测量扩散长度是可行的。
- 胡雨生周柄林杨易陈强
- 关键词：INGAAS少子扩散长度外延层
