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冯玉龙

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇光电
  • 6篇光电子
  • 4篇微米
  • 4篇功率
  • 4篇封装
  • 4篇封装设备
  • 4篇LED芯片
  • 4篇高功率
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇通信
  • 2篇微米级
  • 2篇芯片
  • 2篇可见光通信
  • 2篇互联
  • 2篇共面
  • 2篇共面波导
  • 2篇共面波导结构
  • 2篇光电子器件
  • 2篇光通信

机构

  • 7篇北京大学

作者

  • 7篇于彤军
  • 7篇陈志忠
  • 7篇康香宁
  • 7篇冯玉龙
  • 6篇沈波
  • 6篇焦飞
  • 2篇吴洁君
  • 1篇付星星
  • 1篇姜爽
  • 1篇张国义

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2018
  • 1篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法
本发明提出了一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。本发明一方面可实现单颗LED芯片的高压高功率特性,另一方面避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，降低了对封装设备和工艺的...
康香宁李诚诚陈志忠焦飞冯玉龙詹景麟于彤军沈波
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一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法
本发明公开了一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法。本发明采用普通的铝片并采用阳极氧化方法制备具有周期性的纳米孔洞阵列的纳米压印模板，图形简单费用便宜，巧妙降低了纳米压印模板的制备成本；采用阳极氧化铝AAO方法，可以...
陈志忠蒋盛翔付星星姜显哲姜爽冯玉龙康香宁于彤军张国义
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一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法
本发明提出了一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。本发明一方面可实现单颗LED芯片的高压高功率特性,另一方面避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，降低了对封装设备和工艺的...
康香宁李诚诚陈志忠焦飞冯玉龙詹景麟于彤军沈波
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一种微米LED芯片内互联的实现方法
本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，进而降低了对封装设备和工艺的要求，可以大幅度提...
陈志忠李诚诚康香宁焦飞冯玉龙詹景麟于彤军沈波
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一种共面波导结构微米LED的制备方法
本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结...
康香宁李诚诚陈志忠焦飞冯玉龙詹景麟于彤军吴洁君沈波
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一种微米LED芯片内互联的实现方法
本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，进而降低了对封装设备和工艺的要求，可以大幅度提...
陈志忠李诚诚康香宁焦飞冯玉龙詹景麟于彤军沈波
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一种共面波导结构微米LED的制备方法
本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结...
康香宁李诚诚陈志忠焦飞冯玉龙詹景麟于彤军吴洁君沈波
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