2024年8月20日
星期二
|
欢迎来到贵州省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
戴淑君
作品数:
7
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
高宏伟
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
李水明
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
孙钱
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
周宇
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
冯美鑫
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
6篇
专利
1篇
会议论文
领域
2篇
电子电信
主题
6篇
势垒
6篇
势垒层
4篇
氮化物
4篇
刻蚀
4篇
III族
4篇
III族氮化...
3篇
电学
3篇
电学特性
3篇
欧姆接触
2篇
自发极化
2篇
铝源
2篇
晶格匹配
2篇
半导体
2篇
半导体器件
2篇
P型
2篇
镓
2篇
槽栅
1篇
电流崩塌
1篇
电流崩塌效应
1篇
钝化
机构
7篇
中国科学院
1篇
上海大学
作者
7篇
戴淑君
6篇
周宇
6篇
孙钱
6篇
李水明
6篇
高宏伟
4篇
杨辉
4篇
冯美鑫
1篇
周宇
年份
2篇
2019
2篇
2017
3篇
2016
共
7
条 记 录,以下是 1-7
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
P型栅GaN基增强型HEMT制备的关键技术研究
P型栅GaN基增强型HEMT(p-GaN E-HEMT)是当前GaN基电力电子器件研究中最具应用前景的技术方案之一,已为业界广泛采用,如加拿大GaN System、美国EPC、日本Panasonic等。
钟耀宗
周宇
高宏伟
戴淑君
冯美鑫
何俊蕾
孙钱
张继军
杨辉
关键词:
刻蚀
钝化
基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极,该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导...
周宇
孙钱
李水明
陈小雪
戴淑君
高宏伟
冯美鑫
杨辉
文献传递
III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括:在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构,其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上;在第一半导体层上...
孙钱
周宇
李水明
戴淑君
高宏伟
杨辉
文献传递
半导体异质结构、其制备方法及应用
本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料,该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配,其中该第一半导体材料为Al<Sub>x</Sub>I...
周宇
李水明
戴淑君
高宏伟
孙钱
文献传递
基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极,该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第...
孙钱
周宇
李水明
陈小雪
戴淑君
高宏伟
冯美鑫
杨辉
文献传递
半导体异质结构、其制备方法及应用
本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料,该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配,其中该第一半导体材料为Al<Sub>x</Sub>I...
周宇
李水明
戴淑君
高宏伟
孙钱
基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极,该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导...
周宇
孙钱
李水明
陈小雪
戴淑君
高宏伟
冯美鑫
杨辉
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张