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李水明
作品数:
9
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供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
高宏伟
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
孙钱
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
周宇
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
戴淑君
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
杨辉
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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机构
9篇
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华中科技大学
作者
9篇
李水明
8篇
周宇
8篇
孙钱
8篇
高宏伟
6篇
杨辉
6篇
戴淑君
5篇
冯美鑫
1篇
周宇
年份
3篇
2019
3篇
2017
2篇
2016
1篇
2015
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9
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半导体异质结构、其制备方法及应用
本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料,该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配,其中该第一半导体材料为Al<Sub>x</Sub>I...
周宇
李水明
戴淑君
高宏伟
孙钱
一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极,该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体,该第二半导体形成于第一半导体...
孙钱
周宇
冯美鑫
李水明
高宏伟
杨辉
文献传递
基于p型GaN盖帽层的增强型HEMT制备及基本电学特性研究
于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力转换系统中作为核心器件使用,在节能减耗方面有重要的应用前景,因此受...
周宇
李水明
高宏伟
陈小雪
孙钱
杨辉
关键词:
高电子迁移率晶体管
电学特性
基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极,该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导...
周宇
孙钱
李水明
陈小雪
戴淑君
高宏伟
冯美鑫
杨辉
文献传递
III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括:在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构,其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上;在第一半导体层上...
孙钱
周宇
李水明
戴淑君
高宏伟
杨辉
文献传递
基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极,该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第...
孙钱
周宇
李水明
陈小雪
戴淑君
高宏伟
冯美鑫
杨辉
文献传递
半导体异质结构、其制备方法及应用
本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料,该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配,其中该第一半导体材料为Al<Sub>x</Sub>I...
周宇
李水明
戴淑君
高宏伟
孙钱
文献传递
一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极,该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体,该第二半导体形成于第一半导体...
孙钱
周宇
冯美鑫
李水明
高宏伟
杨辉
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基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极,该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导...
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