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李水明

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇势垒
  • 6篇势垒层
  • 4篇氮化物
  • 4篇电学
  • 4篇电学特性
  • 4篇半导体
  • 4篇III族
  • 4篇III族氮化...
  • 3篇电流崩塌
  • 3篇电流崩塌效应
  • 3篇增强型
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇刻蚀
  • 3篇HEMT器件
  • 2篇栅极
  • 2篇缺陷态
  • 2篇自发极化
  • 2篇铝源
  • 2篇晶格匹配
  • 2篇半导体器件

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇华中科技大学

作者

  • 9篇李水明
  • 8篇周宇
  • 8篇孙钱
  • 8篇高宏伟
  • 6篇杨辉
  • 6篇戴淑君
  • 5篇冯美鑫
  • 1篇周宇

年份

  • 3篇2019
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
半导体异质结构、其制备方法及应用
本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为Al<Sub>x</Sub>I...
周宇李水明戴淑君高宏伟孙钱
一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极，该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体，该第二半导体形成于第一半导体...
孙钱周宇冯美鑫李水明高宏伟杨辉
文献传递
基于p型GaN盖帽层的增强型HEMT制备及基本电学特性研究
于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力转换系统中作为核心器件使用,在节能减耗方面有重要的应用前景,因此受...
周宇李水明高宏伟陈小雪孙钱杨辉
关键词：高电子迁移率晶体管电学特性
基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极，该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导...
周宇孙钱李水明陈小雪戴淑君高宏伟冯美鑫杨辉
文献传递
III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构，其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上；在第一半导体层上...
孙钱周宇李水明戴淑君高宏伟杨辉
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基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第...
孙钱周宇李水明陈小雪戴淑君高宏伟冯美鑫杨辉
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半导体异质结构、其制备方法及应用
本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为Al<Sub>x</Sub>I...
周宇李水明戴淑君高宏伟孙钱
文献传递
一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极，该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体，该第二半导体形成于第一半导体...
孙钱周宇冯美鑫李水明高宏伟杨辉
文献传递
基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极，该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导...
周宇孙钱李水明陈小雪戴淑君高宏伟冯美鑫杨辉
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