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陈曦

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：苏州市国际科技合作项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电池
  • 3篇晶格
  • 3篇超晶格
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇晶格结构
  • 2篇层结构
  • 2篇超晶格结构
  • 1篇电池材料
  • 1篇电池制备
  • 1篇源区
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳电池材料
  • 1篇退火
  • 1篇快速退火
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇MBE生长

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 3篇王乃明
  • 3篇郑新和
  • 3篇陈曦
  • 1篇甘兴源
  • 1篇王海啸
  • 1篇李宝吉
  • 1篇杨辉

传媒

  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于量子点超晶格结构的太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种基于量子点超晶格结构的太阳能电池，包括有源区，该有源区包括第一i-GaAs层、第一GaNAs/InGaAs超晶格结构、第二InGaAs超晶格结构、第二i-GaAs层，其中第二InGaAs超晶格结构设于第一G...
卢建娅陈曦郑新和王乃明
基于量子点超晶格结构的太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种基于量子点超晶格结构的太阳能电池，包括有源区，该有源区包括第一i‑GaAs层、第一GaNAs/InGaAs超晶格结构、第二InGaAs超晶格结构、第二i‑GaAs层，其中第二InGaAs超晶格结构设于第一G...
卢建娅陈曦郑新和王乃明
文献传递
不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性
2015年
本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复性和界面品质变好,然而当继续增加周期厚度至30 nm时,超晶格品质劣化.上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论.同时,通过退火优化,实现了周期厚度为20 nm的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池,短路电流密度超过10 mA/cm2.
王乃明郑新和陈曦甘兴源王海啸李宝吉卢建娅杨辉
关键词：分子束外延太阳电池快速退火
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