李鹏
- 作品数：10 被引量：47H指数：5
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- (单晶硅/电解液)界面对多孔硅形成初期阶段的影响被引量：1
- 1996年
- 测量了在多孔硅形成初期阶段的电流I-电压V曲线,计算了硅表面原子吸附不同元素时电荷的转移量.指出在(单晶硅/电解液)界面处存在一电偶层,它影响着多孔硅材料的形成和性质.讨论了制备中氢氟酸(HF)浓度、电流密度和光照等因素对材料形成的影响.
- 李清山李鹏马玉蓉潘必才夏上达方容川
- 关键词：多孔硅
- 激光辅助阳极化制备多孔硅的蓝光发射与红外研究被引量：8
- 1998年
- 发现由ｎ型单晶硅光照辅助阳极化制备的多孔硅在经过较长时间室温空气中放置氧化后，部分样品出现了蓝色光致荧光．荧光及红外透射、反射测量表明，在较强的氩离子４８８ｎｍ激光照射下制备的样品，经放置氧化后形成氧化层的组织较好，即氧化层中的应力较小、非晶程度相对较低、ＳｉＯＳｉ的网络结构比较完整．而这样的氧化层是有利于多孔硅光致荧光中的蓝光发射的．
- 李鹏马玉蓉方容川胡克良
- 关键词：多孔硅蓝光发射
- 金属离子在多孔硅表面的吸附与电镀过程中金属在多孔硅表面的淀积被引量：7
- 1998年
- 刚制备的多孔硅与金属盐溶液接触会产生金属离子在多孔硅表面的吸附现象.实验显示这一现象只发生在新鲜的多孔硅表面,而存放一月以后的样品不具备此性质.文中把这一现象归因于新鲜的多孔硅表面电子的富集,溶液中金属离子从多孔硅表面获得电子而附着.多孔硅表面电镀金属过程中,一定电压下电镀电流密度在起始阶段逐渐下降,可以用一个指数关系式较好地描述,在本文中用一个唯象模型予以解释.
- 王冠中李鹏马玉蓉方容川李凡庆
- 关键词：多孔硅电镀离子金属
- 粉末SHG法的光强角分布研究被引量：5
- 2002年
- 有机非线性光学材料多年来一直受到关注,粉末二次谐波(SHG)法是研究这类新型材料的一个主要手段,它可以迅速、简洁地对某一种合成路线是否值得继续进行作出初步判断。但是人们对于这种方法的实验细节却一直没有太多研究,这里对反射光强的角分布,及其与入射角、粉末颗粒大小的关系,进行较细致的研究,验证了多年来一直使用的以60°入射而在反射角上测量实验装置的正确性,但是当样品颗粒差异较大的时候,应该采用小角度探测方式,这样可减小颗粒效应。
- 李铭全蔡志岗李鹏江绍基梁兆熙
- 关键词：SHG有机非线性光学材料角分布
- 光时域反射仪(OTDR)的研制被引量：18
- 2002年
- 研制出了一台初步达到市场商品化标准的光时域反射仪。阐述了光时域反射仪的工作原理和制作方法 ,对它的每个组成部分 ,包括光器件、电子器件以及测量软件都做了说明。通过对光纤样品的测量 。
- 蔡志岗靳珂李伟良江绍基李鹏
- 关键词：光时域反射仪光纤测量瑞利散射
- 氧化处理多孔硅的光致发光和发光衰减被引量：7
- 1995年
- 用沸硫酸对多孔硅进行了处理，测量了它们的红外吸收光谱、光致发光光谱和发光衰减．对氢、氧的作用进行了讨论，发现氧的加入可使发光强度增加两个数量级，发光衰减变快．用三层发光模型对结果进行了讨论。
- 李清山李鹏马玉蓉方容川蔡志岗徐志凌
- 关键词：多孔硅后处理
- 多孔硅微秒光致发光衰减
- 1995年
- 在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减，研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系，发现衰减参数与发射波长有关，但不依赖于样品制备条件．用发光三层模型解释了实验结果．
- 李清山李鹏马王蓉方容川
- 关键词：多孔硅光致发光
- 多孔硅／激光染料复合体的发光被引量：1
- 1996年
- 将激光染料分子有效地嵌入多孔硅中，获得多孔硅／染料分子复合体。嵌入微量染料分子时，复合体的发光兼有多孔硅和激光染料两者的发光特征，增加染料分子的嵌入量，复合体的发光增强，荧光的时间响应快，脉宽窄，主要表现为激光染料的发光特性。
- 马玉蓉李清山李鹏方容川结构分析开放实验室
- 关键词：多孔硅激光染料荧光
- 侧基对极化聚合物薄膜倍频效率的影响被引量：1
- 1996年
- 具有A-π-D结构的分子(其中A表示拉电子基,D表示给电子基,π为连接A,D的电子通道),具有较大的超极化率β,可以制成二阶非线性光学系数较大的极化聚合物薄膜。极化聚合物方法最早是由Meredith等人报道的,其基本思想主要是利用外电场使聚合物薄膜中的生色团分子取向,形成有序排列,以破坏宏观对称性。
- 徐志凌蔡志岗杨佩青李鹏李庆行颜星中梁兆熙陈用列
- 关键词：侧基倍频效率非线性光学
- 金属/PS/n-Si结构光电转换效率的研究被引量：1
- 1997年
- 在许多研究工作着重于多孔硅(PS)的发光机制和提高电致发光效率的同时,多孔硅接触结构问题也受到人们的关注,认为多孔硅众多的表面态导致多孔硅接触结构具有较大的内部串联电阻和较大的理想因子.在光电转换方面,金属/孔硅结构也表现出一些特别性质.本文报道采用电镀法制备的M/PS/n-Si结构的光伏效应,以及采用一种特别的设计大大提高M/PS/n-Si复合结构的光电转换效率.1 多孔硅的制备用来制备多孔硅的是单面抛光的(100)方向的n型单晶硅,电阻率约为8Ω·cm.首先在硅片未抛光面制备欧姆接触的铝膜.然后采用阳极氧化方法制备多孔硅 溶液配比为HF:H_2SO_4:酒精=4:2:4,电流密度为5mA/cm^2,阳极化时间为30min在制备过程中采用150w钨灯距硅片20cm处照射.
- 王冠中李鹏马玉蓉方容川
- 关键词：多孔硅光电转换电镀法金属
