陈景东
- 作品数：73 被引量：83H指数：4
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学研究生创业种子基金福建省教育厅A类人文社科/科技研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 低噪微分麦克风阵列
- 一种低噪微分麦克风阵列。提供了一种微分麦克风阵列(DMA)，其包括用于将声音转换为多个电信号的多个(M个)麦克风传感器以及处理器，该处理器构造成：在时间窗内将线性约束最小方差滤波器应用在电信号上以计算电信号在多个子带上的...
- J·贝内斯蒂陈景东
- 文献传递
- 一种语音信号处理方法和装置
- 本发明提供了一种语音信号处理方法和装置，所述方法包括：获取传感器阵列中各个传感器采集到的带噪语音信号，带噪语音信号为时域信号；应用短时傅里叶变换将采集到的带噪语音信号由时域信号分解成频域子带信号；通过与各个频域子带信号的...
- 陈景东杰卡布·贝内斯特李昌磊黄公平
- 文献传递
- 一种增益联动参数更新的麦克风阵列声源分离方法及系统
- 本发明涉及一种增益联动参数更新的麦克风阵列声源分离方法及系统，属于声源分离领域，方法包括：利用麦克风阵列获取声源的观测信号；根据所述观测信号构建观测信号向量；构建波束形成器；根据所述波束形成器构造矩阵；获取增益参数；根据...
- 潘超陈景东
- 铜掺杂氧化锌纳米棒的非线性光学响应竞争特性被引量：2
- 2017年
- 利用飞秒脉冲激光激发Cu掺杂ZnO纳米棒,研究其特有的非线性光学性质和激发机制。在激发波长为750 nm的荧光光谱中,二次谐波峰非常弱,几乎可以忽略,存在非常强的激子发光峰和Cu掺杂导致缺陷发光峰。激发强度的增大会导致这两个发光峰强度呈非线性增大,激子发光峰位产生明显红移,而缺陷发光峰位没有变化。进一步增大激发强度,缺陷发光峰强度会出现饱和甚至有所下降,而激子发光峰强度持续增大。当激发波长增加到760 nm时,从样品的荧光光谱可以清楚地识别到二次谐波峰和激子发光峰以及缺陷发光峰并存。随着激发波长的进一步增加,二次谐波强度不断增大,而激子发光峰和缺陷发光峰的强度却随之下降。当激发波长为790 nm和800 nm时,未发现激子发光峰和缺陷发光峰,非线性光谱以二次谐波为主导。研究结果表明,通过选择合适的激发波长和激发强度,可以实现发光颜色的转变,使得Cu掺杂ZnO纳米棒在全光显示方面具有潜在的发展前景。
- 戴军陈景东何影记陈泳竹
- 关键词：非线性光学光致发光金属掺杂
- 一种可调向的波束形成方法及系统
- 本申请提供一种可调向的波束形成方法及系统，应用于语音信号处理领域，其中，可调向的波束形成方法可以包括：获取同心圆环阵列接收到的待处理语音信号；其中，同心圆环阵列包括至少一个语音采集单元，待处理语音信号包括从期望方向接收到...
- 罗雪琴靳姬鲁黄公平陈景东
- 文献传递
- 开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究被引量：2
- 2008年
- 利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1。结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关。特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著。
- 施易军王六定陈景东
- 水热腐蚀多孔硅的光致发光和光电导特性
- 1990年,英国科学家L. T. Canham关于室温下多孔硅光致发光的报道立即在世界范围内引发了一股多孔硅的研究热潮。这主要是因为这种材料的发现为全硅光电集成带来了巨大的希望,迎合硅基半导体技术发展的迫切需要。目前多孔...
- 陈景东
- 关键词：多孔硅光致发光
- 文献传递
- 一种白光LED的输出光功率确定方法及系统
- 本发明公开了一种白光LED的输出光功率确定方法及系统。所述输出光功率确定方法包括：根据荧光粉产生的光功率、荧光粉温度、激发波长、荧光粉厚度、蓝光发光二极管LED芯片的光功率、蓝色光子在荧光粉层中的吸收系数、白光LED发射...
- 陈焕庭沈雪华李游林惠川李燕陈景东
- 文献传递
- 一种低复杂度折中预白化的鲁棒声源定位方法
- 本发明公开了一种低复杂度折中预白化的鲁棒声源定位方法，利用克罗内克积将线性预测器系数向量降维分解，构建基于克罗内克积的最优化子模型；对最优化子模型迭代求解，获得两个子预测器系数向量，进而得到预测器系数向量a，由此可得麦克...
- 何宏森陈景东喻翌周颖玥
- 水热腐蚀时间对铁钝化多孔硅表面形貌和光致发光的影响被引量：1
- 2014年
- 采用水热腐蚀法制备了4个腐蚀时间不同的铁钝化多孔硅样品,铁钝化多孔硅样品表面呈海绵结构,随着腐蚀时间增加,样品表面的平整度下降,腐蚀孔尺寸差别有增大的趋势。在250nm光激发下,样品发光峰位于620nm附近,半峰全宽约130nm。腐蚀时间从10min增加到40min,4个样品的发光峰并未出现定向的红移或蓝移。结合样品傅里叶变换红外吸收光谱的结果,铁钝化多孔硅的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,相应的辐射复合发光中心为非桥氧空穴。
- 陈景东张婷汪庆祥
- 关键词：光电子学多孔硅光致发光
