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高明超
作品数:
2
被引量:2
H指数:1
供职机构:
大连理工大学电子科学与技术学院
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发文基金:
教育部留学回国人员科研启动基金
辽宁省自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
宋世巍
大连理工大学材料科学与工程学院...
王晓霞
大连理工大学电子科学与技术学院
王德君
大连理工大学电子科学与技术学院
朱巧智
大连理工大学电子科学与技术学院
秦福文
大连理工大学材料科学与工程学院...
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高明超
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朱巧智
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1篇
王晓霞
1篇
宋世巍
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固体电子学研...
年份
1篇
2009
1篇
2008
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SiC表面ECR氢等离子体处理研究
SiC是第三代半导体材料,由于其禁带宽度大、热传导率高、热稳定性好,在高温、高频、大功率电子器件领域将会得到广泛的应用。但是SiC晶片表面存在很高的表面念,不利于制备良好的欧姆接触,不利于形成良好的SiO/_2/SiC界...
高明超
关键词:
碳化硅
氢等离子体
RHEED
XPS
文献传递
N型4H-SiC ECR氢等离子体处理研究
被引量:2
2009年
采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控。在200°C~700°C温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低。
王德君
高明超
朱巧智
秦福文
宋世巍
王晓霞
关键词:
碳化硅
氢等离子体
X射线光电子能谱
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