您的位置： 专家智库 > >

高明超

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：大连理工大学电子科学与技术学院更多>>
发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇氢等离子体
  • 2篇ECR
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇N型
  • 1篇RHEED
  • 1篇SIC
  • 1篇XPS
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇4H-SIC

机构

  • 2篇大连理工大学

作者

  • 2篇高明超
  • 1篇秦福文
  • 1篇朱巧智
  • 1篇王德君
  • 1篇王晓霞
  • 1篇宋世巍

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
SiC表面ECR氢等离子体处理研究
SiC是第三代半导体材料，由于其禁带宽度大、热传导率高、热稳定性好，在高温、高频、大功率电子器件领域将会得到广泛的应用。但是SiC晶片表面存在很高的表面念，不利于制备良好的欧姆接触，不利于形成良好的SiO/_2／SiC界...
高明超
关键词：碳化硅氢等离子体RHEEDXPS
文献传递
N型4H-SiC ECR氢等离子体处理研究被引量：2
2009年
采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控。在200°C～700°C温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低。
王德君高明超朱巧智秦福文宋世巍王晓霞
关键词：碳化硅氢等离子体X射线光电子能谱
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0