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李剑
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
大连理工大学电子科学与技术学院
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发文基金:
辽宁省自然科学基金
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
国家重大基础研究前期研究专项
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相关领域:
电子电信
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合作作者
宋世巍
大连理工大学材料科学与工程学院...
王德君
大连理工大学电子科学与技术学院
朱巧智
大连理工大学电子科学与技术学院
秦福文
大连理工大学材料科学与工程学院...
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宋世巍
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固体电子学研...
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2009
1篇
2008
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SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性研究
碳化硅/(SiC/)半导体由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、高功率、高频、高辐射等领域应用前景广阔,其研究广为关注。与其它宽带隙半导体相比,SiC能够像硅那样通过热氧化工艺生长氧化膜,这使得它更...
李剑
关键词:
MOS电容
界面态密度
文献传递
SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价
被引量:1
2009年
降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV。实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性。
王德君
李剑
朱巧智
秦福文
宋世巍
关键词:
界面态密度
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