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李剑

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：大连理工大学电子科学与技术学院更多>>
发文基金：辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重大基础研究前期研究专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电学
  • 2篇态密度
  • 2篇界面态
  • 2篇界面态密度
  • 2篇SIC
  • 2篇MOS
  • 1篇改性
  • 1篇SIO
  • 1篇MOS电容

机构

  • 2篇大连理工大学

作者

  • 2篇李剑
  • 1篇秦福文
  • 1篇朱巧智
  • 1篇王德君
  • 1篇宋世巍

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性研究
碳化硅/(SiC/)半导体由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性，使其在高温、高功率、高频、高辐射等领域应用前景广阔，其研究广为关注。与其它宽带隙半导体相比，SiC能够像硅那样通过热氧化工艺生长氧化膜，这使得它更...
李剑
关键词：MOS电容界面态密度
文献传递
SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价被引量：1
2009年
降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV。实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性。
王德君李剑朱巧智秦福文宋世巍
关键词：界面态密度
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