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叶小松

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：云南大学更多>>
发文基金：云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 2篇导体
  • 2篇低维结构
  • 2篇锗量子点
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇生长温度
  • 2篇量子点
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米点
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基底
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体低维结...
  • 2篇GE/SI
  • 2篇磁控溅射技术
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射

机构

  • 5篇云南大学

作者

  • 5篇叶小松
  • 4篇王茺
  • 4篇杨宇
  • 4篇李亮
  • 4篇靳映霞
  • 4篇关中杰

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量：1
2012年
利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
关键词：磁控溅射表面形貌
Ge/Si纳米点的磁控溅射生长及表面形貌分析
本论文采用磁控溅射技术在Si衬底上生长Ge纳米点。根据材料制备工艺的需求，针对工艺中的关键影响因素进行了系列探索实验。分析AFM和Raman对纳米点的形貌和晶体特性的检测结果，获得制备Si基Ge纳米点的优化工艺参数。论文...
叶小松
关键词：磁控溅射工艺参数
磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，基于低温生长高温退火的两步法，制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，在工作室溅射压强...
杨宇靳映霞叶小松李亮关中杰王茺
文献传递
两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响被引量：1
2012年
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm。
关中杰靳映霞王茺叶小松李亮杨宇
关键词：射频磁控溅射
磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，基于低温生长高温退火的两步法，制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，在工作室溅射压强...
杨宇靳映霞叶小松李亮关中杰王茺
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